極薄バリヤの構造解析における革新的解明とCu配線の配向制御
超薄势垒结构分析和铜互连取向控制的创新阐释
基本信息
- 批准号:21K04150
- 负责人:
- 金额:$ 2.66万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2021
- 资助国家:日本
- 起止时间:2021-04-01 至 2024-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
武山 眞弓其他文献
武山 眞弓的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
相似海外基金
高容量密度・低リーク電流粗面トレンチ型キャパシタと革新的3次元集積デバイスの創出
创建高电容密度、低漏电流粗糙表面沟槽电容器和创新的 3D 集成器件
- 批准号:
22KJ0283 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Research on thin film formation technology of metal oxide semiconductors by ALD method aiming at high-performance three-dimensional devices
针对高性能三维器件的ALD法金属氧化物半导体薄膜形成技术研究
- 批准号:
22H01958 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
ガラス基板上LSIに向けたpoly-Ⅳ族TFTの自己整合3次元集積技術の開発
玻璃基板LSI用多晶IV族TFT自对准3D集成技术的开发
- 批准号:
22K04247 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
高電力パワーIC実現に向けたヘテロジニアスインテグレーション技術の研究
实现大功率电源IC的异构集成技术研究
- 批准号:
21H01314 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Research on Test Methods for Power Distribution on Three-Dimensional Integrated Circuits
三维集成电路功率分布测试方法研究
- 批准号:
19K11883 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)