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SiC-MOS界面特有の散乱体の起源検証とその抑制によるチャネル抵抗低減

验证SiC-MOS界面特有的散射体的来源，并通过抑制它们来降低沟道电阻

基本信息

批准号：
21K04166
负责人：
染谷満
金额：
$ 2.75万
依托单位：
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2021
资助国家：
日本
起止时间：
2021-04-01 至 2024-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究の目的は、SiC-MOS界面のラフネスを従来よりも大幅に低減させることで、特異な散乱体の起源検証とチャネル抵抗の低減を行うことである。令和4年度は高温熱処理によるバンチングで原子的平坦にしたSiC表面を維持しながら、SiC-MOSFETを作製するプロセスインテグレーションを行った。令和3年度に実施した、MOSFET試作のための各種プロセスが原子的平坦面に与える影響調査の結果、イオン注入後の活性化アニールにより平坦性が劣化することが分かったため、試作のプロセスフローにおいて平坦化熱処理は活性化アニールの後、ゲート絶縁膜形成前に実施することとした。ただし平坦化熱処理はエッチングを伴うため、イオン注入領域が消失する懸念があった。そこでSEMによるイオン注入領域の観察とAFMによる原子平坦化の確認を行い、イオン注入領域の維持と原子的平坦化が両立できる条件の探索を行った。得られた条件をもとに原子的平坦化処理を行い、その後、①熱酸化膜、および②HTOによる堆積酸化膜を用いてゲート酸化膜を形成しMOSFETの1次試作を作製した。作製したMOSFETの電気的特性を評価したところ、①の熱酸化膜品はスイッチング動作を示し、原子的平坦化処理を行ってもMOSFETを作製できることが実証できた。ただし熱酸化はSiC表面を荒らすため、移動度の向上は見られなかった。一方、②堆積酸化膜品は平坦性の原子的平坦性の維持はできたものの、堆積酸化膜の膜質に起因してゲートリーク電流が発生したため、スイッチング動作には至らなかった。堆積酸化膜の品質については他の装置を使用することで改善をする予定である。

In this study, the purpose, the SiC-MOS interface, the low temperature, the origin of the scattered body, the resistance, the line, the origin of the scattered body and the origin of the scattered body were analyzed. In the year 4, the SiC surface of the atom is flat, and the SiC-MOSFET is responsible for the operation of the atom. For the third year, the MOSFET system is used to analyze the flat surface of all kinds of atoms. The results show that after injection, the flatness of the atoms is deteriorated. After the injection, the equipment is flattened. After the operation, the equipment is flattened. After the film is formed, the equipment is applied. Do you want to flatten the situation? do you want to go into the field and disappear? you don't want to know. In order to maintain the level of the atom in the field, the conditions for the establishment of the conditions are explored, and the confirmation of the atomic flattening of the AFM is investigated in the field of AFM. In this paper, we obtained the conditions for the planarization of atoms. After that, the acidizing film was acidified, and the acidified film was stacked. The acidified film was used to form the MOSFET film for one time. Because of the characteristics of MOSFET electronic devices, the properties of acidified film, such as the temperature of the film, the temperature of the atom, the MOSFET of the atom, the temperature of the film, the temperature, the temperature and the temperature. The surface of the SiC is acidified, and the degree of movement is up. One side, two piles of acidified film products maintain the flatness of the atoms, the cause of the acidified film is high current, and the action is affected. The acidizing film is used to improve the quality of the acidizing film.