光電極エネルギー変換効率を革新する電位ステップ構造の創製

创建潜在的阶梯结构,彻底改变光电极能量转换效率

基本信息

  • 批准号:
    21K04708
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.66万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2021
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2021-04-01 至 2024-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

昨年度に引き続き、低温で窒素含有材料を作成するプロセスを検討した。昨年度、水素と窒素の混合プラズマ中でエキシマレーザー照射することで、窒素単独のプラズマ中でエキシマレーザーを照射したときと比べて、金属膜中および金属酸化物膜中に、基板加熱しないにも関わらず、より多くの窒素が導入されることを明らかにした。今年度は、金属膜を低温で水素アニール処理を施した後、水素窒素の混合プラズマ中でエキシマレーザー照射すると、さらにより多くの窒素が導入されることを明らかにした。XPSで金属膜の最表面を分析した結果、水素アニール処理前において、金属膜の最表面は酸化物であったが、水素アニール処理を施した後も同様に酸化物であった。そのため、水素アニール処理により、窒素の導入量が増加したのは、酸化物層が完全に取り除かれたことが理由ではなく、酸化物層に酸素欠損が生じたことで活性窒素種が拡散しやすくなった、または、水素アニール中に水素が金属格子間に残留したことで、酸素の導入による酸化反応を抑制したことが理由と考えられた。また、金属および金属膜の種類を変更し、それらの特性と窒素の導入しやすさを調査した。これまでに、本プロセスによる窒素の導入は、酸化反応との競合であり、金属膜の場合、水素と窒素の混合プラズマ下でエキシマレーザーを照射した場合でも、窒素よりも酸素のほうが導入されやすいことがわかった。しかし、金属の種類によって、酸素と窒素の導入量の割合は大きく異なった。今後継続して窒素が導入される因子を明らかにしていく。
Last year, the materials containing asphyxiant and low temperature asphyxiant were made. Last year, the mixture of asphyxiant, asphyxiate, asphyxiant, asphyxiate, asphyxiant, asphyxiate, This year, after the application of the metal film at low temperature, water and water, the water asphyxiant was mixed with water asphyxiant, and the water asphyxiant was mixed with water. The results of the most surface analysis of the metal film by XPS, the results of the analysis of the surface of the metal film, the results of the analysis of the surface of the metal film, the surface of the metal film and the surface of the metal film. The amount of asphyxiant, the amount of asphyxiate, the amount of asphyxiant, the amount of asphyxiate, the amount of asphyxiate, the amount of asphyxi The reason for the inhibition of acid concentration is to test the reason for acidification. Metal, metal, metal film, metal film and metal film. In this study, asphyxiant was added, acidified anti-asphyxiant, metal film, water, asphyxia, asphyxiant, asphyxiate, asphyxium, asphyxiate, asphyxiant, asphyxiate, asphyxiant, asphyxium, asphyxiate, asphyxiant, asphy The amount of iron, metal, asphyxiate and acid asphyxiate is cut off in large quantities. From now on, the asphyxiant will be added to the list of factors.

项目成果

期刊论文数量(2)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
エキシマレーザ照射プロセスへの窒素プラズマ融合効果
氮等离子体聚变对准分子激光辐照过程的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    袖山 和斗;西川 雅美;河原 正美;中島 智彦;土屋 哲男;石橋 隆幸
  • 通讯作者:
    石橋 隆幸
窒素プラズマ中エキシマレーザ照射による 金属窒化物の低温成膜の検討
氮等离子体准分子激光辐照低温沉积金属氮化物的研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    袖山 和斗;西川 雅美;石橋 隆幸;中島 智彦;土屋 哲男
  • 通讯作者:
    土屋 哲男
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
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  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
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  • 通讯作者:
    石橋 隆幸
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
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  • 作者:
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  • 通讯作者:
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西川 雅美的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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{{ showInfoDetail.title }}

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