貴金属表面への電解処理に基づく高活性なグリセリン酸化電極の作製

今年度得られた成果をまとめると以下の通りである．１．昨年度までの研究において，電解処理には下地のニッケル電極が触媒として作用する+0.6 V（vs. Hg|HgO）以上の電位を印加することが必要不可欠である，と報告してきた．今年度，電位条件について再度検討を行った結果，+0.2 V（vs. Hg|HgO）程度の電位においても電解処理の効果が得られることが明らかとなった．グリセリン溶液中において，パラジウムめっき電極への電位掃引を行った場合，-0.6～0 V（vs. Hg|HgO）ではグリセリン電流は徐々に減少し，-0.6～+0.2 V（vs. Hg|HgO）では徐々に増加していく様子が確認できた．0～0.2 V（vs. Hg|HgO）の間に，パラジウムめっき電極のグリセリン酸化活性を向上させる現象が生じているものと考えられるが，現時点では明らかにできていない．２．電解処理を施したパラジウムめっき電極の表面について，赤外全反射測定法（ATR法）による測定を行ったところ，-0.6～+0.2 V（vs. Hg|HgO）で電解処理を行った電極ではヒドロキシ基やカルボキシラートイオンの存在が確認できたが，-0.6～0 V（vs. Hg|HgO）ではそれらの存在は見られなかった．電位範囲により，グリセリン酸化反応による生成物に違いが生じ，何らかの表面修飾がなされたものと予想される．３．電解処理を施したパラジウムめっき電極の表面について，走査型電子顕微鏡（SEM）による表面観察を行ったが，電位範囲による構造の大きな違いは見られなかった．

今年度得られた成果をまとめると以下の通りである．１．昨年度までの研究において，電解処理には下地のニッケル電極が触媒として作用する+0.6 V（vs. Hg|HgO）以上の電位を印加することが必要不可欠である，と報告してきた．今年度，電位条件について再度検討を行った結果，+0.2 V（vs. Hg|HgO）程度の電位においても電解処理の効果が得られることが明らかとなった．グリセリン溶液中において，パラジウムめっき電極への電位掃引を行った場合，-0.6～0 V（vs. Hg|HgO）ではグリセリン電流は徐々に減少し，-0.6～+0.2 V（vs. Hg|HgO）では徐々に増加していく様子が確認できた．0～0.2 V（vs. Hg|HgO）の間に，パラジウムめっき電極のグリセリン酸化活性を向上させる現象が生じているものと考えられるが，現時点では明らかにできていない．２．電解処理を施したパラジウムめっき電極の表面について，赤外全反射測定法（ATR法）による測定を行ったところ，-0.6～+0.2 V（vs. Hg|HgO）で電解処理を行った電極ではヒドロキシ基やカルボキシラートイオンの存在が確認できたが，-0.6～0 V（vs. Hg|HgO）ではそれらの存在は見られなかった．電位範囲により，グリセリン酸化反応による生成物に違いが生じ，何らかの表面修飾がなされたものと予想される．３．電解処理を施したパラジウムめっき電極の表面について，走査型電子顕微鏡（SEM）による表面観察を行ったが，電位範囲による構造の大きな違いは見られなかった．