Construction of zero emission process for semiconductor plating using ion exchange/chelate fibers

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持続可能な開発目標(SDGs)への取り組み、環境問題への意識の高まりから、リサイクルへの関心が高まっている。半導体をめっきする際に生じるスラッジにはNiやSnといった有価な重金属を多量に含んでいるものの、それらの分離・回収・再資源化技術は確立されておらず、ほとんど再生利用されることなく産業廃棄物として処理されている。価格の高騰や資源の枯渇の観点からも地下に鉱山資源を保有しない日本が、地上の都市鉱山とも呼ばれる金属廃棄物から有価金属を分離し、リサイクルする技術の開発は喫緊の課題である。半導体めっきに利用されるSnは中性領域では錯化剤の共存下でないとイオンの状態で存在することができず、めっき液として利用できない。Snめっきの場合はNiめっきとは異なり、Sn2+イオンがSn4+イオンに酸化されめっき液が変質しやすく、しかもチップ部品から成分が溶解しやすいことから、回収槽の液をめっき槽に戻すことができず、廃液・廃水量が多くなるため排水処理コストがかかることが知られている。そこで本研究では、イオン交換/キレート樹脂・繊維の吸着技術を利用して低濃度のSnめっき排水から低コスト・高効率にSnを分離・回収・再資源化することを目的に、Sn4+イオンおよびSn2+イオンの吸着平衡特性の検討を行った。Snを効率よく吸着する吸着材の探索を行ったところ、酸性領域ではアミノリン酸型キレート樹脂が、塩基性領域では強塩基性アニオン交換樹脂が効果的にSn4+イオンを吸着することが明らかとなった。