陽電子ビームが誘起する特異な表面動的反応過程の解明

阐明正电子束引起的独特表面动态反应过程

• 批准号: 20K12498
• 负责人: 立花 隆行
• 金额: $ 2.75万
• 依托单位: Gakushuin University (2021-2022)Tokyo University of Science (2020)
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2020
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2020-04-01 至 2024-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20K12498/
• 关键词: 電子遷移誘起脱離; 陽電子; 量子ビーム; 固体表面ダイナミクス; 電子衝撃脱離; 表面物理; 原子分子物理

本研究では、アルカリハライド結晶における陽電子刺激イオン脱離過程の解明を目的としている。昨年度におこなった装置改良によって質量分解能が大幅に向上した装置を用いて脱離イオンの検出を進めた。また、測定に用いるソフトウェアを開発し、検出器から出力されるイオン信号をUSBオシロスコープで取り込みながら、それと同時に簡易的なデータ解析もおこなうことを可能にした。実験の結果、質量数40付近の質量ピークを分離することに成功し、これまで確認できていたものとは別の分子イオン種の脱離を観測することに成功した。さらに昨年度に製作した試料加熱機構によって脱離イオン収率の温度依存性の観測をおこなった。その結果、陽電子ビーム照射によって脱離する分子イオンの収率は室温では極めて低いが、試料温度が200度以上になると急激に増加することが明らかになった。このような温度依存性は電子ビーム照射によるイオン脱離では観測されておらず、陽電子刺激イオン脱離の過程を解明する上で極めて重要な知見である。

这项研究旨在阐明碱卤化物晶体中的正电子刺激的离子解吸过程。使用一种设备进行了解吸离子，该设备由于去年的改善而显着改善了质量分辨率。我们还开发了使用测量结果的软件，使我们可以使用USB示波器捕获从检测器输出的离子信号，同时还进行简单的数据分析。实验成功地将质量峰分开了40的质量峰，并成功地观察到除了迄今已确认的分子离子物种以外的分子离子物种的解吸。此外，使用去年制造的样品加热机制观察到解吸离子产量的温度依赖性。结果，据表明，尽管通过正电子束辐照解吸的分子离子的产量在室温下极低，但当样品温度达到200°C或更高时，它会迅速增加。在电子束照射引起的离子解吸中尚未观察到这种温度依赖性，这是阐明正电子刺激的离子解吸过程的极为重要的发现。

项目成果

陽電子消滅誘起イオン脱離に伴うγ線ドップラー広がり測定に向けて.

测量由于正电子湮灭引起的离子解吸而导致的 γ 射线多普勒展宽。

• 发表时间: 2022
• 作者: 石川達也;立花隆行;長嶋泰之
• 通讯作者: 長嶋泰之

図説 表面分析ハンドブック

图解表面分析手册

• 发表时间: 2021
• 作者: 出口 碧惟;貝沼 雄太;林 都隆;安 東秀;山田友里，越地 福朗，安田洋司，山田勝実，内田孝幸;日本表面真空学会
• 通讯作者: 日本表面真空学会

低速陽電子ビームを用いた電子遷移誘起イオン脱離

使用慢正电子束的电子跃迁诱导离子解吸

• 发表时间: 2023
• 作者: 安森亮雄，附田悠杜，杉浦遼亮;坂元 仁,朝田 良子,古田 雅一,土戸 哲明;立花隆行
• 通讯作者: 立花隆行

低速陽電子ビームを用いた固体表面からのイオン脱離

使用慢正电子束从固体表面进行离子解吸

• 发表时间: 2023
• 作者: 立花隆行;荒川一郎;石川達也，濱中悟，長嶋泰之
• 通讯作者: 石川達也，濱中悟，長嶋泰之

LiF結晶表面における陽電子消滅誘起イオン脱離

LiF晶体表面正电子湮灭诱导的离子解吸

• 发表时间: 2020
• 作者: 大隅寛幸;藤川佳則;劉麗華;小谷佳範;中村哲也;向坂文宏;古田雅一;陳 傑，白石 照美，阿部 眞理，森岡大輔;立花隆行，長嶋泰之
• 通讯作者: 立花隆行，長嶋泰之