Elucidation of plasma-induced defect generation mechanism during atomic layer etching

阐明原子层蚀刻过程中等离子体引起的缺陷产生机制

基本信息

  • 批准号：
    20K14453
  • 负责人：
    Tsutsumi Takayoshi
  • 金额：
    $ 2.66万
  • 依托单位：
    Nagoya University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
  • 财政年份：
    2020
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2020-04-01 至 2023-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（22）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Reaction science of layer-by-layer thinning of graphene with oxygen neutrals at room temperature
  • DOI：
    10.1016/j.carbon.2020.07.052
  • 发表时间：
    2020-12
  • 期刊：
    Carbon
  • 影响因子：
    10.9
  • 作者：
    Hirotsugu Sugiura;H. Kondo;Kimitaka Higuchi;S. Arai;R. Hamaji;T. Tsutsumi;K. Ishikawa;M. Hori
  • 通讯作者：
    Hirotsugu Sugiura;H. Kondo;Kimitaka Higuchi;S. Arai;R. Hamaji;T. Tsutsumi;K. Ishikawa;M. Hori
Area-selective plasma-enhanced atomic layer etching (PE-ALE) of silicon dioxide using a silane coupling agent
使用硅烷偶联剂对二氧化硅进行区域选择性等离子体增强原子层蚀刻 (PE-ALE)
  • DOI：
    10.1116/6.0002044
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
    Journal of Vacuum Science & Technology A
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Osonio Airah P.;Tsutsumi Takayoshi;Oda Yoshinari;Mukherjee Bablu;Borude Ranjit;Kobayashi Nobuyoshi;Hori Masaru
  • 通讯作者：
    Hori Masaru
Topographically-selective atomic layer etching of SiO2 using fluorine-containing plasma
使用含氟等离子体对 SiO2 进行形貌选择性原子层蚀刻
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Airah Osonio;Takayoshi Tsutsumi;Bablu Mukherjee;Ranjit Borude;Nobuyoshi Kobayashi;and Masaru Hori
  • 通讯作者：
    and Masaru Hori
Isotropic Plasma-enhanced Atomic Layer Etching of SiO2 using F radicals and Ar plasma
使用 F 自由基和 Ar 等离子体对 SiO2 进行各向同性等离子体增强原子层蚀刻
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    A. Osonio;T. Tsutsumi;B. Mukherjee;R. Borude;N. Kobayashi;and M. Hori
  • 通讯作者：
    and M. Hori
Effects of deposition precursors of hydrogenated amorphous carbon films on the plasma etching resistance based on mass spectrometer measurements and machine learning analysis
基于质谱仪测量和机器学习分析的氢化非晶碳薄膜的沉积前驱体对等离子体蚀刻抗性的影响
  • DOI：
    10.1016/j.vacuum.2022.111351
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
    Vacuum
  • 影响因子：
    4
  • 作者：
    Kurokawa Jumpei;Kondo Hiroki;Tsutsumi Takayoshi;Ishikawa Kenji;Sekine Makoto;Hori Masaru
  • 通讯作者：
    Hori Masaru
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

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Study of optical emission spectroscopy using modified Boltzmann plot in dual-frequency synchronized pulsed capacitively coupled discharges with DC bias at low-pressure in Ar/O2/C4F8 plasma etching process
Ar/O2/C4F8 等离子体刻蚀过程中低压直流偏压双频同步脉冲电容耦合放电中修正玻尔兹曼图的发射光谱研究
  • DOI：
    10.1039/d2cp00289b
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
    Physical Chemistry Chemical Physics
  • 影响因子：
    3.3
  • 作者：
    Sahu Bibhuti Bhusan;Nakane Kazuya;Ishikawa Kenji;Sekine Makoto;Tsutsumi Takayoshi;Gohira Taku;Ohya Yoshinobu;Ohno Noriyasu;Hori Masaru
  • 通讯作者：
    Hori Masaru
上皮細胞間接着装置タイトジャンクションによる外分泌システムの構築
使用紧密连接（上皮细胞粘附装置）构建外分泌系统
  • DOI：
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Fukunaga Yusuke;Longo Roberto C.;Ventzek Peter L. G.;Lane Barton;Ranjan Alok;Hwang Gyeong S.;Hartmann Gregory;Tsutsumi Takayoshi;Ishikawa Kenji;Kondo Hiroki;Sekine Makoto;Hori Masaru;Sachiko Tsukita;田中啓雄
  • 通讯作者：
    田中啓雄
Atomic nitrogen density measurements by actinometry method in the toroidal device NAGDIS-T
在环形装置 NAGDIS-T 中通过光化法测量原子氮密度
  • DOI：
    10.35848/1347-4065/aba456
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    Kajita Shin;Asaoka Koji;Tanaka Hirohiko;Nishio Ryosuke;Tsutsumi Takayoshi;Hori Masaru;Ohno Noriyasu
  • 通讯作者：
    Ohno Noriyasu
In Situ Monitoring of Surface Reactions during Atomic Layer Etching of Silicon Nitride Using Hydrogen Plasma and Fluorine Radicals
使用氢等离子体和氟自由基对氮化硅进行原子层蚀刻期间的表面反应的原位监测
  • DOI：
    10.1021/acsami.9b11489
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
    ACS Applied Materials & Interfaces
  • 影响因子：
    9.5
  • 作者：
    Nakane Kazuya;Vervuurt Ren? H. J.;Tsutsumi Takayoshi;Kobayashi Nobuyoshi;Hori Masaru
  • 通讯作者：
    Hori Masaru
Tight junction as an organizer for the whole apical surface barrier of epithelia
紧密连接作为整个上皮表面屏障的组织者
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Fukunaga Yusuke;Longo Roberto C.;Ventzek Peter L. G.;Lane Barton;Ranjan Alok;Hwang Gyeong S.;Hartmann Gregory;Tsutsumi Takayoshi;Ishikawa Kenji;Kondo Hiroki;Sekine Makoto;Hori Masaru;Sachiko Tsukita
  • 通讯作者：
    Sachiko Tsukita

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
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    {{ item.doi }}
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    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
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    {{ item.authors }}
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    {{ item.author }}

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  • 财政年份：
    2004
  • 资助金额：
    $ 2.66万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
{{ showInfoDetail.title }}

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