Elucidation of plasma-induced defect generation mechanism during atomic layer etching
Elucidation of plasma-induced defect generation mechanism during atomic layer etching
阐明原子层蚀刻过程中等离子体引起的缺陷产生机制
批准号：
20K14453
负责人：
Tsutsumi Takayoshi
金额：
$2.66万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
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DOI：
10.1016/j.carbon.2020.07.052
发表时间：
2020-12
期刊：
Carbon
影响因子：
10.9
作者：
[Hirotsugu Sugiura;H. Kondo;Kimitaka Higuchi;S. Arai;R. Hamaji;T. Tsutsumi;K. Ishikawa;M. Hori]
通讯作者：
Hirotsugu Sugiura;H. Kondo;Kimitaka Higuchi;S. Arai;R. Hamaji;T. Tsutsumi;K. Ishikawa;M. Hori
Area-selective plasma-enhanced atomic layer etching (PE-ALE) of silicon dioxide using a silane coupling agent
使用硅烷偶联剂对二氧化硅进行区域选择性等离子体增强原子层蚀刻 (PE-ALE)
使用硅烷偶联剂对二氧化硅进行区域选择性等离子体增强原子层蚀刻 (PE-ALE)
DOI：
10.1116/6.0002044
发表时间：
2022
期刊：
Journal of Vacuum Science & Technology A
影响因子：
--
作者：
[Osonio Airah P., Tsutsumi Takayoshi, Oda Yoshinari, Mukherjee Bablu, Borude Ranjit, Kobayashi Nobuyoshi, Hori Masaru]
通讯作者：
Hori Masaru
Isotropic Plasma-enhanced Atomic Layer Etching of SiO2 using F radicals and Ar plasma
使用 F 自由基和 Ar 等离子体对 SiO2 进行各向同性等离子体增强原子层蚀刻
使用 F 自由基和 Ar 等离子体对 SiO2 进行各向同性等离子体增强原子层蚀刻
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[A. Osonio, T. Tsutsumi, B. Mukherjee, R. Borude, N. Kobayashi, and M. Hori]
通讯作者：
and M. Hori
Topographically-selective atomic layer etching of SiO2 using fluorine-containing plasma
使用含氟等离子体对 SiO2 进行形貌选择性原子层蚀刻
使用含氟等离子体对 SiO2 进行形貌选择性原子层蚀刻
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Airah Osonio, Takayoshi Tsutsumi, Bablu Mukherjee, Ranjit Borude, Nobuyoshi Kobayashi, and Masaru Hori]
通讯作者：
and Masaru Hori
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Takayoshi Tsutsumi, R. Vervuurt, N. Kobayashi, and Masaru Hori]
通讯作者：
and Masaru Hori
共 20 条