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Exploration of new-structure vertical gate-all-around transistor and its properties

新型结构垂直环栅晶体管及其性能探索

基本信息

批准号：
20K14772
负责人：
葉術軍
金额：
$ 2.58万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2020
资助国家：
日本
起止时间：
2020-04-01 至 2022-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20K14772/
关键词：
UVGAA MOSFET Symmetric VGAA GAA MOSFET VGAA MOSFET Vertical Gate All Around Vertical MOSFTE Si nanopillar Surrounding gate Vertical Gate-All-Around transistor Variance reduction CMOS SRAM

项目摘要

コロナ禍により、当初計画通り実験ができなかったので、下記について実施した。縦型GAA（VGAA） MOSFETは、beyond 横型GAAと最近に言われて、次世代のロジック回路の基本な素子になる。しかしながら、VGAA従来の作製方法は下から上の順番で、ソースとドレインは同時に作製できず、ソースとドレインは非対称になる。これは他の（プレナー、フィン、横型GAA）MOSFETの対称構造と異なり、実用化の支障になる。本研究では、世界初で、VGAA MOSFETのソース・ドレインが同時作製できるプロセスを開発した。それでソースとドレインは対称なVGAA（所謂UVGAA）ができるようになった。更に、このUVGAA MOSFETに基づいて、縦方向上にデバイス（CMOS、SRAMなど）を積層した高集積な新型（従来のウェーハを積層した三次元と異なる）三次元集積回路を開発した。関連論文は2021年7月1日にMaterials Science in Semiconductor Processing誌に発表した。この論文は2021年10月から現時点（2022年3月23日）までこの誌の暦年論文の中で過去3ヵ月間download回数は2位に維持している。また、2020年1月15日に特許を出願して、同4月30日優先権出願を行った。これらの出願はJSTのPCT特許出願支援を受けて、同11月22日PCT出願した。2022年2月1日に、国際調査報告のISA見解書では、このPCT特許のすべての請求項について、新規性・進歩性・産業上の利用可能性が有りと判断された。また、従来の半導体プロセスでは、Taper状なSiピラーしかできなかった。本研究は2020年に直径サブ10nm均一なシリンーダ状Siナノピラーの精密作製もできて、上記ソースとドレインが対称なUVGAA MOSFET実際作製に関する重要な課題を解決した。

In the first place, the plan was planned to be completed, and the following plan was intended to provide information. "Type GAA (VGAA) MOSFET", "beyond horizontal GAA", "recent words", "next generation"circuit" basic "vegetarian". Please check the information and VGAA to make sure that the method is correct, and that at the same time, the information is not known as the information. The MOSFET of "he", "he", and "horizontal GAA" is called "building", "using" and "blocking". In the course of this study, at the beginning of the world, and at the same time, we will conduct a round-the-clock training program at the same time for VGAA MOSFET students. I don't know what to do. I don't know. I don't know. I don In recent years, the UVGAA MOSFET is very important, and the direction is very high (CMOS, SRAM). There is a new type of three-dimensional loop that is highly integrated. This article will be published on July 1st, 2021, and will be listed in the Materials Science in Semiconductor Processing table. On October 2021 (March 23, 2022), two-digit download returns in the past 3 months have been maintained in the annual calendar. On January 15, 2020, there will be a special visit, and the same as on April 30, 2020. The JST PCT is specially granted to support customers, as well as the PCT on November 22nd. On February 1, 2022, the international financial report, ISA comments, special information on PCT, and the possibility of new standards of progressive employment have important implications. In the shape of Si, half, Taper, half, Taper, half, half and Taper. In this study, the diameter of the 10nm in 2020 is the same as that of the Si in the year 2020. in this study, the diameter and the diameter of the Si in 2020 are very important to solve important problems.