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Study on evaluation of thermal properties for thermoelectric Si device by temperature dependent X-ray diffraction with synchrotron radiation

同步辐射X射线温度相关衍射评价硅热电器件热性能的研究

基本信息

批准号：
20K22418
负责人：
Yokogawa Ryo
金额：
$ 1.83万
依托单位：
Meiji University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
财政年份：
2020
资助国家：
日本
起止时间：
2020-09-11 至 2022-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（6）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

X線逆格子空間マッピングを用いたメサ構造状カーボンドープシリコンにおける3軸歪評価

使用 X 射线倒易晶格空间映射评估台面结构碳掺杂硅的 3 轴应变

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
吉岡和俊;小原田賢聖;小笠原凱;廣沢一郎;渡辺剛;横川凌;小椋厚志
通讯作者：
小椋厚志

Origin of carrier lifetime degradation in floating-zone silicon during a high-temperature process for insulated gate bipolar transistor

绝缘栅双极晶体管高温工艺过程中浮区硅载流子寿命下降的根源

DOI：
10.35848/1347-4065/abc1d0
发表时间：
2020
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Yokogawa Ryo;Kobayashi Hiroto;Numasawa Yohichiroh;Ogura Atsushi;Nishizawa Shin-ichi;Saraya Takuya;Ito Kazuo;Takakura Toshihiko;Suzuki Shinichi;Fukui Munetoshi;Takeuchi Kiyoshi;Hiramoto Toshiro
通讯作者：
Hiramoto Toshiro

放射光技術を利用した次世代熱電発電デバイス用Ⅳ族半導体の微小領域熱特性評価

使用同步辐射技术的下一代热电发电装置的 IV 族半导体的微区域热表征

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
横川凌;小椋厚志
通讯作者：
小椋厚志

温度可変放射光X線回折による熱酸化およびスパッタSiO2/Si界面の熱特性評価

变温同步辐射X射线衍射评价热氧化和溅射SiO2/Si界面的热性能

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
横川凌;渡辺剛;廣沢一郎;富田基裕;渡邉孝信;小椋厚志
通讯作者：
小椋厚志

Strain Behaviors and Characteristics of Phonon Transports in Group IV Semiconductors Observed by Synchrotron Radiation Techniques

同步辐射技术观察IV族半导体中的应变行为和声子输运特性

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Ryo Yokogawa;Atsushi Ogura
通讯作者：
Atsushi Ogura

DOI：
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作者：
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Yokogawa Ryo其他文献

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应变单晶 Si1-xSnx 中能带结构的研究

DOI：
10.1149/10904.0359ecst
发表时间：
2022
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
0
作者：
Sahara Keita;Yokogawa Ryo;Shibayama Yuki;Hibino Yusuke;Kurosawa Masashi;Ogura Atsushi
通讯作者：
Ogura Atsushi

Determination of Phonon Deformation Potentials in Carbon-Doped Silicon

碳掺杂硅中声子变形势的测定

DOI：
10.1149/08607.0419ecst
发表时间：
2018
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
0
作者：
Yoshioka Kazutoshi;Yokogawa Ryo;Murakami Tatsumi;Komago Shota;Sawamoto Naomi;Ogura Atsushi
通讯作者：
Ogura Atsushi

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用拉曼光谱评估 SiSn 的应变位移系数

DOI：
10.1149/09805.0291ecst
发表时间：
2020
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
0
作者：
Yokogawa Ryo;Kurosawa Masashi;Ogura Atsushi
通讯作者：
Ogura Atsushi

Non-seed chemical bath deposition of ZnO films in a rotating continuous flow reactor with various carboxylic acids and their application to transparent conductive films

各种羧酸在旋转连续流反应器中非种子化学浴沉积 ZnO 薄膜及其在透明导电薄膜中的应用

DOI：
10.1039/d2ce01136k
发表时间：
2022
期刊：
CrystEngComm
影响因子：
3.1
作者：
Wagata Hajime;Shioiri Naoya;Tanaka Yuya;Yokogawa Ryo;Ogura Atsushi
通讯作者：
Ogura Atsushi

Determination of phonon deformation potentials and strain-shift coefficients in Ge-rich Si1-xGex using bulk Ge-rich Si1-xGex crystals and oil-immersion Raman spectroscopy

使用块状富Ge Si1-xGex 晶体和油浸拉曼光谱测定富Ge Si1-xGex 中的声子变形势和应变位移系数

DOI：
10.7567/jjap.57.106601
发表时间：
2018
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Yokogawa Ryo;Takeuchi Kazuma;Murakami Tatsumi;Usuda Koji;Yonenaga Ichiro;Ogura Atsushi
通讯作者：
Ogura Atsushi