Study on evaluation of thermal properties for thermoelectric Si device by temperature dependent X-ray diffraction with synchrotron radiation
Study on evaluation of thermal properties for thermoelectric Si device by temperature dependent X-ray diffraction with synchrotron radiation
同步辐射X射线温度相关衍射评价硅热电器件热性能的研究
批准号：
20K22418
负责人：
Yokogawa Ryo
金额：
$1.83万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-09-11 至 2022-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(6)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
X線逆格子空間マッピングを用いたメサ構造状カーボンドープシリコンにおける3軸歪評価
使用 X 射线倒易晶格空间映射评估台面结构碳掺杂硅的 3 轴应变
使用 X 射线倒易晶格空间映射评估台面结构碳掺杂硅的 3 轴应变
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[吉岡 和俊, 小原田 賢聖, 小笠原 凱, 廣沢 一郎, 渡辺 剛, 横川 凌, 小椋 厚志]
通讯作者：
小椋 厚志
Origin of carrier lifetime degradation in floating-zone silicon during a high-temperature process for insulated gate bipolar transistor
绝缘栅双极晶体管高温工艺过程中浮区硅载流子寿命下降的根源
绝缘栅双极晶体管高温工艺过程中浮区硅载流子寿命下降的根源
DOI：
10.35848/1347-4065/abc1d0
发表时间：
2020
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Yokogawa Ryo, Kobayashi Hiroto, Numasawa Yohichiroh, Ogura Atsushi, Nishizawa Shin-ichi, Saraya Takuya, Ito Kazuo, Takakura Toshihiko, Suzuki Shinichi, Fukui Munetoshi, Takeuchi Kiyoshi, Hiramoto Toshiro]
通讯作者：
Hiramoto Toshiro
放射光技術を利用した次世代熱電発電デバイス用Ⅳ族半導体の微小領域熱特性評価
使用同步辐射技术的下一代热电发电装置的 IV 族半导体的微区域热表征
使用同步辐射技术的下一代热电发电装置的 IV 族半导体的微区域热表征
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[横川 凌, 小椋 厚志]
通讯作者：
小椋 厚志
温度可変放射光X線回折による熱酸化およびスパッタSiO2/Si界面の熱特性評価
变温同步辐射X射线衍射评价热氧化和溅射SiO2/Si界面的热性能
变温同步辐射X射线衍射评价热氧化和溅射SiO2/Si界面的热性能
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[横川 凌, 渡辺 剛, 廣沢 一郎, 富田 基裕, 渡邉 孝信, 小椋 厚志]
通讯作者：
小椋 厚志
Strain Behaviors and Characteristics of Phonon Transports in Group IV Semiconductors Observed by Synchrotron Radiation Techniques
同步辐射技术观察IV族半导体中的应变行为和声子输运特性
同步辐射技术观察IV族半导体中的应变行为和声子输运特性
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Ryo Yokogawa, Atsushi Ogura]
通讯作者：
Atsushi Ogura
共 6 条
海外基金