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Control of oxygen vacancy formations and hole generation for new p-type divalent tin oxides.

Control of oxygen vacancy formations and hole generation for new p-type divalent tin oxides.
控制新型 p 型二价锡氧化物的氧空位形成和空穴生成。
批准号：
20K22472
负责人：
Samizo Akane
金额：
$1.83万
依托单位：
Tokyo University of Science
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-09-11 至 2022-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20K22472/
关键词：
p型酸化物半導体Sn2+酸化物構造解析酸素欠陥物質合成構造欠陥制御

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Correlation between hole carrier generation efficiency and crystal structure of new p-type divalent tin oxides.
新型p型二价锡氧化物的空穴载流子产生效率与晶体结构之间的相关性。
DOI： --
发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
作者： [吉井丈晴, 千田晃生, 日吉範人, 伊藤徹二, 神谷和秀, 井上真隆, 谷文都, 西原洋知, A. Samizo; M. Minohara; N. Kikuchi; K. K. Bando; Y. Aiura; K. Mibu; K. Nishio]
通讯作者： A. Samizo; M. Minohara; N. Kikuchi; K. K. Bando; Y. Aiura; K. Mibu; K. Nishio
p型Sn2M2O7(M=Nb, Ta)における正孔生成効率の組成依存性と酸素欠陥生成
p 型 Sn2M2O7 (M=Nb, Ta) 中空穴生成效率和氧缺陷生成的成分依赖性
DOI： --
发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
作者： [三溝朱音, 西尾圭史, 菊地 直人，簔原 誠人，阪東 恭子，相浦 義弘]
通讯作者： 菊地 直人，簔原 誠人，阪東 恭子，相浦 義弘
p型半導体スズニオブ酸化物におけるスズ周辺の酸素欠陥生成
p型半导体锡铌氧化物中锡周围氧缺陷的产生
DOI： --
发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
作者： [三溝 朱音，菊地 直人，簔原 誠人，阪東 恭子，相浦 義弘, 壬生　攻, 西尾 圭史]
通讯作者： 西尾 圭史
マテリアルズ・インフォマティクス開発事例最前線
最前沿材料信息学发展实例
DOI： --
发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
作者： [伊藤聡, 田村亮, 津田宏治, 犬丸啓, 折井靖光, 戸田浩樹, 廣瀬修一, 小林正和, 金子弘昌, 田中譲, 藤間淳, 上野哲朗, 小野寛太, 藤本憲次郎, 他]
通讯作者： 他