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Control of oxygen vacancy formations and hole generation for new p-type divalent tin oxides.
控制新型 p 型二价锡氧化物的氧空位形成和空穴生成。
基本信息
- 批准号：20K22472
- 负责人：
- 金额：$ 1.83万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
- 财政年份：2020
- 资助国家：日本
- 起止时间：2020-09-11 至 2022-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（7）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Correlation between hole carrier generation efficiency and crystal structure of new p-type divalent tin oxides.
新型p型二价锡氧化物的空穴载流子产生效率与晶体结构之间的相关性。
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：吉井丈晴;千田晃生;日吉範人;伊藤徹二;神谷和秀;井上真隆;谷文都;西原洋知;A. Samizo; M. Minohara; N. Kikuchi; K. K. Bando; Y. Aiura; K. Mibu; K. Nishio
- 通讯作者：A. Samizo; M. Minohara; N. Kikuchi; K. K. Bando; Y. Aiura; K. Mibu; K. Nishio
p型Sn2M2O7(M=Nb, Ta)における正孔生成効率の組成依存性と酸素欠陥生成
p 型 Sn2M2O7 (M=Nb, Ta) 中空穴生成效率和氧缺陷生成的成分依赖性
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：三溝朱音;西尾圭史; 菊地 直人，簔原 誠人，阪東 恭子，相浦 義弘
- 通讯作者：菊地 直人，簔原 誠人，阪東 恭子，相浦 義弘
p型半導体スズニオブ酸化物におけるスズ周辺の酸素欠陥生成
p型半导体锡铌氧化物中锡周围氧缺陷的产生
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：三溝 朱音，菊地 直人，簔原 誠人，阪東 恭子，相浦 義弘;壬生 攻;西尾 圭史
- 通讯作者：西尾 圭史
マテリアルズ・インフォマティクス開発事例最前線
最前沿材料信息学发展实例
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：伊藤聡;田村亮;津田宏治;犬丸啓;折井靖光;戸田浩樹;廣瀬修一;小林正和;金子弘昌;田中譲; 藤間淳;上野哲朗;小野寛太;藤本憲次郎;他
- 通讯作者：他
Site-Selective Oxygen Vacancy Formation Derived from the Characteristic Crystal Structures of Sn-Nb Complex Oxides
Sn-Nb 复合氧化物特征晶体结构衍生的位点选择性氧空位形成
- DOI：10.1021/acs.jpcc.0c11423
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Samizo Akane;Minohara Makoto;Kikuchi Naoto;Bando Kyoko K.;Aiura Yoshihiro;Mibu Ko;Nishio Keishi
- 通讯作者：Nishio Keishi
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Samizo Akane其他文献
ハロゲン結合の供与体、受容体の両方になり得るオリゴチオフェンの合成と構造
可同时充当卤键供体和受体的低聚噻吩的合成和结构
- DOI：
- 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Samizo Akane;Kikuchi Naoto;Aiura Yoshihiro;Nishio Keishi;渡辺啓太，松澤幸一，足立吉徳，池上芳，大城善郎，永井崇昭，門田隆二，石原顕光;岡本尚大，橋本塁人，中野義明，石川学，矢持秀起 - 通讯作者：
岡本尚大，橋本塁人，中野義明，石川学，矢持秀起
Disorders and oxygen vacancies in p‐type Sn2B2O7 (B=Nb, Ta): Role of the B‐site element
p 型 Sn2B2O7 (B=Nb, Ta) 中的无序和氧空位：B 位元素的作用
- DOI：
10.1111/jace.18830 - 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：3.9
- 作者：
Samizo Akane;Minohara Makoto;Kikuchi Naoto;Ando Kenta;Mazuka Yuta;Nishio Keishi - 通讯作者：
Nishio Keishi
New p-type Sn2(Nb2-xTax)O7 with tunable band gap
带隙可调的新型 p 型 Sn2(Nb2-xTax)O7
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Samizo Akane;Kikuchi Naoto;Aiura Yoshihiro;Nishio Keishi - 通讯作者：
Nishio Keishi
Elaboration of near‐valence band defect states leading deterioration of ambipolar operation in SnO thin‐film transistors
导致 SnO 薄膜晶体管双极工作恶化的近价带缺陷态的阐述
- DOI：
10.1002/nano.202100272 - 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Minohara Makoto;Asanuma Shutaro;Asai Hidehiro;Dobashi Yuka;Samizo Akane;Tezuka Yasuhisa;Ozawa Kenichi;Mase Kazuhiko;Hase Izumi;Kikuchi Naoto;Aiura Yoshihiro - 通讯作者：
Aiura Yoshihiro
極低温温度計用FBG 及びバイメタルの性能評価
低温温度计用光纤光栅和双金属片的性能评估
- DOI：
- 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Minohara Makoto;Samizo Akane;Kikuchi Naoto;Bando Kyoko K.;Yoshida Yoshiyuki;Aiura Yoshihiro;清水洋孝 - 通讯作者：
清水洋孝
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