Ultrafast Superlattice Phase-change Artificial Synapse

超快超晶格相变人工突触

基本信息

  • 批准号:
    21H01382
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.15万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2021
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2021-04-01 至 2024-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

従来の可逆な超高速相変化が観測されたGeTe/Sb2Te3超格子材料がシナプス機能材料として適していないと考えられる。そこで、本研究では、新しい結晶構造と機能の探索に広く使われている第一原理計算法を用い、異原子添加法により導電率が連続的に変えられる新材料を探求した。最初に、GeTe/Sb2Te3超格子材料の結晶構造モデルを作成した。計算によって最安定構造まで緩和させる後に、電子バンド構造を計算し、バンドギャップと結晶構造との関係を明らかにした。この結果に基づき、N等の進入型異原子を添加したGeTe/Sb2Te3超格子型多層膜の構造モデルを作成し、計算により電子バンド構造を求めた。これにより、添加異原子を決め、更に添加量を最適化し、シナプス機能材料としての超格子型多層膜を見出した。また、低コストで量産化に向いているスパッタリング法による高品質なGeTe/Sb2Te3多層膜の作製法が報告されている。そこで、本研究では、スパッタリング法により、第一原理計算で探求した新材料を作製した。N2が導入された超高真空中でGeTeとSb2Te3層を交互に積層し、基板上に多層材料を成膜した。N2流量制御により、適切な添加量を得ることができた。原子間力顕微鏡やX線回折装置等により作製した材料のラフネスと結晶性などを測定し、成膜挙動を解明した。また、結晶性と界面エネルギーが超格子材料の配向性を左右するので、以上の成膜挙動解明により成膜条件を最適化し、高品質な多層薄膜の作製法を確立した。
GeTe/Sb2Te3 superlattice materials are used as functional materials for reversible ultra-high speed phase transition. In this study, the first principles calculation method and the heteroatomic addition method are used to explore the new materials. Initially, GeTe/Sb2Te3 superlattice materials were fabricated. The calculation of the most stable structure and the relationship between the electronic structure and the crystalline structure are clearly explained. As a result, the structure of the GeTe/Sb2Te3 superlattice multilayer film was prepared and calculated by adding the atoms of the base metal, N, etc. The superlattice multilayer film was found by optimizing the additive amount and adding different atoms. The preparation method of high-quality GeTe/Sb2Te3 multilayer film is reported. This study is aimed at exploring new materials by using first-principle calculations. N2 is introduced into the ultra-high vacuum, GeTe and Sb2Te are alternately laminated, and multilayer materials are formed on the substrate N2 Flow control, appropriate addition, etc. Atomic force microscopy and X-ray folding devices are used to determine the crystallinity and film formation behavior of materials. To optimize the film formation conditions and establish a method for producing a high-quality multilayer film, the crystal interface and the orientation of the superlattice material are optimized.

项目成果

期刊论文数量(27)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
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开发N-O共掺杂Sb2Te3相变材料以提高人工突触装置的性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    新山 浩司;尹 友
  • 通讯作者:
    尹 友
ナノ構造を有する相変化素子の低動作電流化のための有限要素法解析
降低纳米结构相变器件工作电流的有限元法分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    白川 遼馬;尹 友
  • 通讯作者:
    尹 友
Proposal of a Novel Operation Method to Precisely Control Synaptic Strength for Phase-Change Artificial Synapse
提出一种精确控制相变人工突触突触强度的新操作方法
Doped Sb2Te3 Phase-Change Materials for High Performance Artificial Synaptic Device
用于高性能人工突触器件的掺杂 Sb2Te3 相变材料
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. Yin;K. Niiyama;W. Matsuhashi and T. Fujiwara
  • 通讯作者:
    W. Matsuhashi and T. Fujiwara
N-O Co-Doped Sb2Te3 Chalcogenide for High Performance Artificial Synaptic Device
用于高性能人工突触器件的 N-O 共掺杂 Sb2Te3 硫属化物
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y. Yin;K. Niiyama and T. Fujiwara
  • 通讯作者:
    K. Niiyama and T. Fujiwara
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イン ユウ其他文献

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    $ 11.15万
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  • 资助金额:
    $ 11.15万
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    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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