Development of advanced plasma soft x-ray laser and next generation nano-processing technology

开发先进等离子软X射线激光器和下一代纳米加工技术

基本信息

项目摘要

【高機能光源開発】では,昨年度までに整備したプラットホームレーザーをさらに高度化する開発を継続して実施した.パルス圧縮後のスペックは,エネルギー750mJ,パルス幅 40fsまで達成した.今後の高出力化を見据え、高い回折効率が得られるホログラフィク型回折格子(1480 grooves/mm)とビーム直径75mmまで入射できる光学素子を導入した.EUV高次高調波(HHG)の高度化では,光源を高出力化するために,ガスジェットノズルの長さを調整することにより,基本波とガスの相互作用長を長くすることができ,その結果,EUV-HHGの出力が昨年度の11倍まで向上した.さらに,EUV-HHGの増幅機構に非線形伝搬や電子プラズマの寄与と考えられる実験結果が得られた.その結果を研究協力者と議論して解析を進めている.一方で,波長18.9nmニッケル様モリブデンプラズマレーザーの発振実験に先立ち,光学系を工夫することによりコンパクトな集光光学系を構築した.これまでに不安定ながらX線レーザーの発振が確認されている.現在は安定,且つ,高出力で発振できるポンプレーザー条件と集光光学配位を調べている.【加工理物モデルの構築】では,FY2021までに整備したEUV超微細加工・造形装置をさらに高度化することを実施した.加工ビームを形成するための光学系を作成し,反射率や透過率など基本性能はKEK-PFの放射光を用いて評価し,集光特性やパターニング特性などは光線追跡計算とEUV高次高調波を用いて評価した.また,これまでに実施したSiおよびシリコン系の基板・半導体材料に加えてPMMAなどのレジスト材料の加工試験の結果をまとめて解析を進めている.
High performance light open 発 】 【 で は, yesterday's annual ま で に servicing し た プ ラ ッ ト ホ ー ム レ ー ザ ー を さ ら に す empirically る open 発 を 継 続 し て be applied し た. パ ル ス 圧 shrinkage after の ス ペ ッ ク は, エ ネ ル ギ ー 750 mj, パ ル ス of 40 fs ま で reached し た. Force higher future の を see according to え, high い back to fold the working rate が ら れ る ホ ロ グ ラ フ ィ ク inflexion type grid (1480 grooves/mm) と ビ ー ム 75 mm diameter ま で incident で き る optical element child を import し た. EUV high high-profile wave (HHG) の で empirically は, higher than that of light source を influence す る た め に, ガ ス ジ ェ ッ ト ノ ズ ル の long さ を adjustment す る こ と に よ り, basic wave と ガ ス の interaction を long く す る こ と が で き, そ の results, EUV - HHG の 11 times the annual output が yesterday の ま で upward し た. さ ら に, EUV - HHG の rights of agency に nonlinear 伝 move や electronic プ ラ ズ マ の send と exam え ら れ る be the result of 験 が ら れ た. Youdaoplaceholder0 そ results を research collaborators と discussion めて て analysis を enter めて る る る. で a party, the wavelength of 18.9 nm ニ ッ ケ ル others モ リ ブ デ ン プ ラ ズ マ レ ー ザ ー の 発 vibration be 験 に ち, first light department を time す る こ と に よ り コ ン パ ク ト な set the room department を build し た. <s:1> れまでに unstable ながら X-ray レ ザ ザ ザ <s:1> disturbed が confirmation されて る る る. Now は stability and つ, higher power で 発 vibration で き る ポ ン プ レ ー ザ と ー conditions set optical coordination を light tones べ て い る. The processing principle content モ デ ル の build 】 で は, FY2021 ま で に servicing し た EUV superfine processing, plastic device を さ ら に す empirically る こ と を be applied し た. Processing ビ ー ム を form す る た め の を し consummate, department of optical reflectance や transmittance な ど basic performance は KEK the zanu-pf の radiation light を using い て review 価 し, set light feature や パ タ ー ニ ン グ features な ど は ray tracing computation と EUV high-profile wave を using high order い て review 価 し た. ま た, こ れ ま で に be applied し た Si お よ び シ リ コ ン is の substrate, a semiconductor material に plus え て PMMA な ど の レ ジ ス ト materials の processing test results の を ま と め て parsing を into め て い る.

项目成果

期刊论文数量(21)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Vienna University of Technology(オーストリア)
维也纳科技大学(奥地利)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Dependence of dose rate on the sensitivity of the resist under ultra-high flux extreme ultraviolet (EUV) pulse irradiation
超高通量极紫外 (EUV) 脉冲照射下剂量率对光刻胶灵敏度的依赖性
  • DOI:
    10.35848/1882-0786/abfca3
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.3
  • 作者:
    Okamoto Kazumasa;Kawai Shunpei;Ikari Yuta;Hori Shigeo;Konda Akihiro;Ueno Koki;Arai Yohei;Ishino Masahiko;Thanhhung Dinh;Nishikino Masaharu;Kon Akira;Owada Shigeki;Inubushi Yuichi;Kinoshita Hiroo;Kozawa Takahiro
  • 通讯作者:
    Kozawa Takahiro
Material Processing by Ultrashort EUV Pulses: Fundamentals and Prospects
超短 EUV 脉冲材料加工:基础与前景
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    鈴木宏昭;小野哲雄 他;Kuniaki Amemiya;麻生典;Thanhhung Dinh
  • 通讯作者:
    Thanhhung Dinh
Enhancement of high-order harmonics radiations around 13.5 nm by a long-interaction gas tube and its application to development of photoresist materials
长相互作用气体管增强13.5 nm左右高次谐波辐射及其在光刻胶材料开发中的应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Shinichi Namba;J. Seres;E. Seres;C. Serrat;Thanhhung Dinh;Hasegawa Noboru;Ishino Masahiko;Yamamoto Hiroki;Nishikino Masaharu;Kawachi Tetsuya
  • 通讯作者:
    Kawachi Tetsuya
超短パルス軟X線レーザーによる加工メカニズム
使用超短脉冲软X射线激光的加工机制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    河裾 厚男;前川雅樹;宮下 敦巳;和田健;タンフン ヂン
  • 通讯作者:
    タンフン ヂン
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ヂン タンフン其他文献

レーザー駆動イオン加速機構におけるプロトンビームの横方向エミッタンス診断
激光驱动离子加速机构质子束横向发射诊断
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    宮武立彦;小島 完興;榊 泰直;竹本伊吹;近藤 康太郎;西内 満美子;ヂン タンフン;錦野 将元;渡辺 幸信;岩田 佳之;白井 敏之;神門 正城;近藤 公伯
  • 通讯作者:
    近藤 公伯
レーザー駆動イオン加速機構におけるビームエミッタンス評価
激光驱动离子加速机构中的束发射率评估
レーザー駆動イオン加速機構による炭素イオンビームエミッタンス診断
利用激光驱动离子加速机制的碳离子束发射诊断
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    宮武立彦;小島 完興;榊 泰直;近藤 康太郎;西内 満美子;ヂン タンフン;錦野 将元;渡辺 幸信;岩田 佳之;白井 敏之;神門 正城;近藤 公伯
  • 通讯作者:
    近藤 公伯

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次世代の半導体リソグラフィー露光用極端紫外光源のスペクトル制御と高効率化
用于半导体光刻曝光的下一代极紫外光源的光谱控制和高效率
  • 批准号:
    15K18045
  • 财政年份:
    2015
  • 资助金额:
    $ 11.4万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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