Realization of high-performance monolithic phase transistors and their logic applications

高性能单相晶体管的实现及其逻辑应用

• 批准号: 19K15026
• 负责人: YAMAMOTO Mahito
• 金额: $ 2.66万
• 依托单位: Kansai University (2020)Osaka University (2019)
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
• 财政年份: 2019
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2019-04-01 至 2021-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19K15026/
• 关键词: 二次元材料; 相転移材料; 急峻スロープFET; 遷移金属ダイカルコゲナイド; 二酸化バナジウム; 六方晶窒化ホウ素; トランジスタ

项目成果

Transfer characteristics of transition metal dichalcogenide transistors with VO2 contacts

具有 VO2 触点的过渡金属二硫族化物晶体管的传输特性

• 发表时间: 2019
• 作者: M. Yamamoto;R. Nouchi;T. Kanki;S. Nakaharai;A. N. Hattori;K. Watanabe;T. Taniguchi;Y. Wakayama;K. Ueno;H. Tanaka
• 通讯作者: H. Tanaka

VO2/遷移金属ダイカルコゲナイド界面におけるフェルミレベルピンニング

VO2/过渡金属二硫族化物界面的费米能级钉扎

• 发表时间: 2019
• 作者: 山本真人;野内亮;神吉輝夫;中払周;服部梓;谷口尚;渡邊賢司;若山裕;上野啓司;田中秀和
• 通讯作者: 田中秀和

六方晶窒化ホウ素挿入層によるイオン液体ゲーティング時における化学反応の抑制効果

六方氮化硼插入层对离子液体浇注过程中化学反应的影响

• 发表时间: 2020
• 作者: 滝川 潤;山本 真人;谷口 尚;渡邊 賢司;神吉 輝夫;田中 秀和
• 通讯作者: 田中 秀和

Characterization of the phase transition property of VO2 grown on hBN

hBN 上生长的 VO2 相变特性表征

• 发表时间: 2020
• 作者: Shingo Genchi;Mahito Yamamoto;Kenji Watanabe;Takashi Taniguchi;Hidekazu Tanaka
• 通讯作者: Hidekazu Tanaka

多段階化学気相成長法を用いたバナジウム硫化物薄膜の作成

多步化学气相沉积法制备硫化钒薄膜

• 发表时间: 2020
• 作者: 平尾 成;田中 秀和;若山 裕;山本 真人
• 通讯作者: 山本 真人