Realization of high-performance monolithic phase transistors and their logic applications
Realization of high-performance monolithic phase transistors and their logic applications
高性能单相晶体管的实现及其逻辑应用
批准号：
19K15026
负责人：
YAMAMOTO Mahito
金额：
$2.66万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2021-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(17)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
Transfer characteristics of transition metal dichalcogenide transistors with VO2 contacts
具有 VO2 触点的过渡金属二硫族化物晶体管的传输特性
具有 VO2 触点的过渡金属二硫族化物晶体管的传输特性
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Yamamoto, R. Nouchi, T. Kanki, S. Nakaharai, A. N. Hattori, K. Watanabe, T. Taniguchi, Y. Wakayama, K. Ueno, H. Tanaka]
通讯作者：
H. Tanaka
VO2/遷移金属ダイカルコゲナイド界面におけるフェルミレベルピンニング
VO2/过渡金属二硫族化物界面的费米能级钉扎
VO2/过渡金属二硫族化物界面的费米能级钉扎
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[山本真人, 野内亮, 神吉輝夫, 中払周, 服部梓, 谷口尚, 渡邊賢司, 若山裕, 上野啓司, 田中秀和]
通讯作者：
田中秀和
六方晶窒化ホウ素挿入層によるイオン液体ゲーティング時における化学反応の抑制効果
六方氮化硼插入层对离子液体浇注过程中化学反应的影响
六方氮化硼插入层对离子液体浇注过程中化学反应的影响
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[滝川 潤, 山本 真人, 谷口 尚, 渡邊 賢司, 神吉 輝夫, 田中 秀和]
通讯作者：
田中 秀和
Characterization of the phase transition property of VO2 grown on hBN
hBN 上生长的 VO2 相变特性表征
hBN 上生长的 VO2 相变特性表征
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Shingo Genchi, Mahito Yamamoto, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Hidekazu Tanaka]
通讯作者：
Hidekazu Tanaka
多段階化学気相成長法を用いたバナジウム硫化物薄膜の作成
多步化学气相沉积法制备硫化钒薄膜
多步化学气相沉积法制备硫化钒薄膜
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[平尾 成, 田中 秀和, 若山 裕, 山本 真人]
通讯作者：
山本 真人
共 14 条