权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

反強磁性スピントロニクスに向けた反強磁性磁気モーメントの電気的制御機構の理解

了解反铁磁自旋电子学中反铁磁磁矩的电控制机制

基本信息

批准号：
19K15445
负责人：
羽尻哲也
金额：
$ 2.75万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2019
资助国家：
日本
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

反強磁性体は強磁性体と比べて優れた特性を持つことが明らかになり，その制御や電気的検出についての研究が盛んに行われ始めている。しかしながら強磁性体とは異なり，反強磁性ネールベクトルの電気的読み取りが難しい。そのためネールベクトルの電気的制御が実証された反強磁性体は限られており，系統的な実験は行われてきていない。本研究では反強磁性ネールベクトルの電気的制御の系統的な理解を目指し，逆ペロブスカイト窒化物反強磁性体Mn3AN薄膜を用い，①反強磁性体／強磁性体積層膜における交換結合磁界のスピントルクスイッチング，②ノンコリニア反強磁性体／重金属におけるスピン軌道トルクスイッチングを行った。反強磁性体Mn3ANはA原子によって反強磁性スピン構造や局所磁気モーメントの大きさが変化する。A = Ga, Ni, Ni0.35Cu0.65と強磁性体Co3FeNとのエピタキシャル成長した積層膜においてスピントルクスイッチングを行い，交換結合を得るための磁場中冷却方向と逆方向に外部磁場を印加しパルス電流を印加する事で交換結合磁界がすべての積層膜で反転する事，そして反強磁性層により交換結合磁界の反転が飽和する電流密度に優位な差があることを見いだした。また歪み印加をする事で異常ホール効果が発現するMn3GaN薄膜と重金属（Pt, Ta）との積層膜においてスピン軌道トルク測定を行い，歪み量から期待される異常ホール効果と同程度のホール抵抗の変化が観測された。またパルス幅依存性やパルス印加後のホール抵抗の減衰挙動より，パルス印加による熱の影響はあるものの，観測されたホール抵抗のスイッチングへの寄与は小さい事を見いだし，スピン軌道トルクである事の実証を行った。また，さらなる異常ホール効果シグナルの増大・低電流密度化を目指し，他のA原子や重金属を用いた展開を行った。

Antiferromagnetic materials are better than ferromagnetic materials. The characteristics of antiferromagnetic materials are different from those of ferromagnetic materials. Ferromagnetic materials are different from each other, and antiferromagnetic materials are different from each other in terms of electrical properties. The antiferromagnetic material is limited to the electric field of the system. This study aims to understand the control system of antiferromagnetism and antiferromagnetic Mn3AN thin films, which include: (1) antiferromagnetic/ferromagnetic bulk films,(2) antiferromagnetic/heavy metal films,(3) antiferromagnetic/heavy metal films,(4) antiferromagnetic/heavy metal films, and (5) antiferromagnetic films. Antiferromagnetic material Mn3AN has A structure of antiferromagnetism and a large number of changes in magnetic properties. A = Ga, Ni, Ni0.35Cu0.65, ferromagnetic Co3FeN, and the growth of multilayer films, exchange bonding, magnetic field, cooling direction, reverse direction, external magnetic field, current, exchange bonding, magnetic field, and the formation of multilayer films. The current density difference between the magnetic field and the magnetic field in the antiferromagnetic layer is reduced. The abnormal results of Mn3GaN thin films and heavy metals (Pt, Ta) and multilayer films were measured in the same way as the abnormal results of Mn3GaN thin films and heavy metals (Pt, Ta). The amplitude dependence of the resistance is dependent on the temperature and temperature of the resistance. The temperature and temperature of the resistance are measured. The temperature and temperature of the resistance are measured. In addition, the increase in the current density of heavy metals is expected to be due to the presence of heavy metals.