A challenge of bond engineering for the creation of direct transition silicon tin
A challenge of bond engineering for the creation of direct transition silicon tin
直接过渡硅锡的键合工程挑战
批准号：
19K21971
负责人：
Kurosawa Masashi
金额：
$4.08万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-06-28 至 2021-03-31
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Theoretical Investigation of Self-organization Behavior of Si0.5Sn0.5 Nano-particles
Si0.5Sn0.5纳米颗粒自组织行为的理论研究
Si0.5Sn0.5纳米颗粒自组织行为的理论研究
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Nagae, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka]
通讯作者：
and O. Nakatsuka
Si(001)基板上におけるSi1－xSnx薄膜のエピタキシャル成長
Si(001)衬底上外延生长Si1−xSnx薄膜
Si(001)衬底上外延生长Si1−xSnx薄膜
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[黒澤昌志, 丹下龍志, 中塚理]
通讯作者：
中塚理
Influence of Dopant on Thermoelectric Properties of Si-rich Poly-Si1-xSnx Layers Grown on Insulators
掺杂剂对绝缘体上生长的富硅Poly-Si1-xSnx层热电性能的影响
掺杂剂对绝缘体上生长的富硅Poly-Si1-xSnx层热电性能的影响
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Sato, O. Nakatsuka, and M. Kurosawa]
通讯作者：
and M. Kurosawa
Crystal growth and electronic properties of germanium-tin group-IV alloy semiconductor thin films
锗锡IV族合金半导体薄膜的晶体生长及电子性能
锗锡IV族合金半导体薄膜的晶体生长及电子性能
DOI：
10.11470/oubutsu.88.9_597
发表时间：
2019
期刊：
Oyo Buturi
影响因子：
--
作者：
[中塚 理, 黒澤 昌志]
通讯作者：
黒澤 昌志
UVラマン分光法による単結晶Si1-xSnxの歪換算係数導出
紫外拉曼光谱推导单晶Si1-xSnx应变转换系数
紫外拉曼光谱推导单晶Si1-xSnx应变转换系数
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[横川凌, 丹下龍志, 黒澤昌志, 小椋厚志]
通讯作者：
小椋厚志
共 8 条
Organizational change process through Issue-Selling activities
-
批准号：16K17189
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$0.92万
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财政年份：2016
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负责人：Kurosawa Masashi
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依托单位：
海外基金