Electric control of catalytic association chemical reaction for adsorbed molecules on MOS-structured surfaces by applying gate voltages
Electric control of catalytic association chemical reaction for adsorbed molecules on MOS-structured surfaces by applying gate voltages
通过施加栅极电压电控 MOS 结构表面上吸附分子的催化缔合化学反应
批准号：
19K22130
负责人：
Hattori Ken
金额：
$4.08万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-06-28 至 2022-03-31
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Challenge of molecular reaction induced by hot carriers on MOS structure
热载流子引发的分子反应对MOS结构的挑战
热载流子引发的分子反应对MOS结构的挑战
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Haobang Yang, Mio Nishida, Higashi Takaaki, Aydar Irmikimov, and Ken Hattori]
通讯作者：
and Ken Hattori
Growth of Fe islands on Si(111)7x7 surfaces modified with ammonia
Fe 岛在氨改性 Si(111)7x7 表面上的生长
Fe 岛在氨改性 Si(111)7x7 表面上的生长
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[L.N. Pamasi, S. Takemoto, H. Yang, S. Nishida, K. Hattori, H. Daimon]
通讯作者：
H. Daimon
Growth of Fe Islands on Clean and Ammonia-saturated Si(111)7 × 7 Surfaces Studied by in situ Electron Diffraction
通过原位电子衍射研究 Fe 岛在清洁且氨饱和的 Si(111)7 × 7 表面上的生长
通过原位电子衍射研究 Fe 岛在清洁且氨饱和的 Si(111)7 × 7 表面上的生长
DOI：
10.7566/jpsj.90.034601
发表时间：
2021
期刊：
Journal of the Physical Society of Japan
影响因子：
1.7
作者：
[Pamasi Liliany Noviyanty, Nishida Shota, Takemoto Shohei, Hattori Ken]
通讯作者：
Hattori Ken
Difference in growth mode of Fe islands on clean and ammonia-saturated Si(111)7x7 surfaces
Fe岛在清洁和氨饱和Si(111)7x7表面上生长模式的差异
Fe岛在清洁和氨饱和Si(111)7x7表面上生长模式的差异
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Liliany Noviyanty Pamasi, Haoyu Yang, Shota Nishida, Shohei Takemoto, Ken Hattori, and Hiroshi Daimon]
通讯作者：
and Hiroshi Daimon
Trail for CO Oxidation reaction induced by hot carriers on Pd-MOS structure
Pd-MOS结构上热载流子引起的CO氧化反应的追踪
Pd-MOS结构上热载流子引起的CO氧化反应的追踪
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Haobang Yang, Mio Nishida, Aydar Irmikimov, and Ken Hattori]
通讯作者：
and Ken Hattori
共 6 条