Electric control of catalytic association chemical reaction for adsorbed molecules on MOS-structured surfaces by applying gate voltages

通过施加栅极电压电控 MOS 结构表面上吸附分子的催化缔合化学反应

基本信息

批准号：
19K22130
负责人：
Hattori Ken
金额：
$ 4.08万
依托单位：
Nara Institute of Science and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
起止时间：
2019-06-28 至 2022-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（7）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Challenge of molecular reaction induced by hot carriers on MOS structure

热载流子引发的分子反应对MOS结构的挑战

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Haobang Yang;Mio Nishida;Higashi Takaaki;Aydar Irmikimov;and Ken Hattori
通讯作者：
and Ken Hattori

Growth of Fe islands on Si(111)7x7 surfaces modified with ammonia

Fe 岛在氨改性 Si(111)7x7 表面上的生长

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
L.N. Pamasi;S. Takemoto;H. Yang;S. Nishida;K. Hattori;H. Daimon
通讯作者：
H. Daimon

Growth of Fe Islands on Clean and Ammonia-saturated Si(111)7 × 7 Surfaces Studied by in situ Electron Diffraction

通过原位电子衍射研究 Fe 岛在清洁且氨饱和的 Si(111)7 × 7 表面上的生长

DOI：
10.7566/jpsj.90.034601
发表时间：
2021
期刊：
Journal of the Physical Society of Japan
影响因子：
1.7
作者：
Pamasi Liliany Noviyanty;Nishida Shota;Takemoto Shohei;Hattori Ken
通讯作者：
Hattori Ken

Difference in growth mode of Fe islands on clean and ammonia-saturated Si(111)7x7 surfaces

Fe岛在清洁和氨饱和Si(111)7x7表面上生长模式的差异

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Liliany Noviyanty Pamasi;Haoyu Yang;Shota Nishida;Shohei Takemoto;Ken Hattori;and Hiroshi Daimon
通讯作者：
and Hiroshi Daimon

Trail for CO Oxidation reaction induced by hot carriers on Pd-MOS structure

Pd-MOS结构上热载流子引起的CO氧化反应的追踪

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Haobang Yang;Mio Nishida;Aydar Irmikimov;and Ken Hattori
通讯作者：
and Ken Hattori

DOI：
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作者：
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Hattori Ken其他文献

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10.1380/ejssnt.2021.13
发表时间：
2021
期刊：
e-Journal of Surface Science and Nanotechnology
影响因子：
0.7
作者：
Nakatsuka Sohei;Imaizumi Taishi;Abukawa Tadashi;Hattori Azusa N.;Tanaka Hidekazu;Hattori Ken
通讯作者：
Hattori Ken

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DOI：
发表时间：
2021
期刊：
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影响因子：
0
作者：
Irmikimov Aydar;Pamasi Liliany N.;Hattori Azusa N.;Higashi Takaaki;Takahashi Shunta;Hashamova Emilia E.;Shi Xiaoqian;Guo Fangzhun;Hosoito Nobuyoshi;Osaka Ai I.;Tanaka Hidekazu;Hattori Ken;HATTORI Azusa N.
通讯作者：
HATTORI Azusa N.

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DOI：
10.7567/jjap.57.090303
发表时间：
2018
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Takemoto Shohei;Hattori Azusa N.;Hattori Ken;Tanaka Hidekazu;Daimon Hiroshi
通讯作者：
Daimon Hiroshi

放射光イメージング ― 第六回（第一部）―

同步辐射成像 - 第 6 部分（第 1 部分） -

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Hattori Ken;Sakai Yuya;Pamasi Liliany N.;Irmikimov Aydar;Higashi Takaaki;Yang HaoBang;Shi XiaoQian;Guo FangZhun;Osaka Ai I.;Tanaka Hidekazu;Iimori Takushi;Komori Fumio;Hattori Azusa N.;矢代航
通讯作者：
矢代航

Shape-fitting analyses of two-dimensional X-ray diffraction spots for strain-distribution evaluation in a β-FeSi2 nanofilm

用于评估 β-FeSi2 纳米膜应变分布的二维 X 射线衍射点的形状拟合分析

DOI：
10.1107/s1600576719007234
发表时间：
2019
期刊：
Journal of Applied Crystallography
影响因子：
6.1
作者：
Takemoto Shohei;Hattori Ken;Someta Masaaki;Hattori Azusa N.;Tanaka Hidekazu;Kurushima Kosuke;Otsuka Yuji;Daimon Hiroshi
通讯作者：
Daimon Hiroshi