III-nitride semiconductor photonic crystals integrating active and passive devices
III-nitride semiconductor photonic crystals integrating active and passive devices
集成有源和无源器件的III族氮化物半导体光子晶体
批准号：
19K23508
负责人：
Tajiri Takeyoshi
金额：
$1.83万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-08-30 至 2021-03-31
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厚膜InGaN系犠牲層の光電気化学エッチングによる中空GaNマイクロディスク構造の作製
厚InGaN基牺牲层光电化学刻蚀制备空心GaN微盘结构
厚InGaN基牺牲层光电化学刻蚀制备空心GaN微盘结构
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[下吉 賢信, 浮田 駿, 内田 和男, 田尻 武義]
通讯作者：
田尻 武義
紫波長帯にフォトニックバンドギャップを有する窒化ガリウム二次元フォトニック結晶スラブの設計
紫光波段光子带隙氮化镓二维光子晶体板的设计
紫光波段光子带隙氮化镓二维光子晶体板的设计
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[下吉 賢信, 浮田 駿, 内田 和男, 田尻 武義]
通讯作者：
田尻 武義
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