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III-nitride semiconductor photonic crystals integrating active and passive devices
集成有源和无源器件的III族氮化物半导体光子晶体
基本信息
- 批准号：19K23508
- 负责人：
- 金额：$ 1.83万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
- 财政年份：2019
- 资助国家：日本
- 起止时间：2019-08-30 至 2021-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（2）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
厚膜InGaN系犠牲層の光電気化学エッチングによる中空GaNマイクロディスク構造の作製
厚InGaN基牺牲层光电化学刻蚀制备空心GaN微盘结构
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：下吉 賢信;浮田 駿;内田 和男;田尻 武義
- 通讯作者：田尻 武義
紫波長帯にフォトニックバンドギャップを有する窒化ガリウム二次元フォトニック結晶スラブの設計
紫光波段光子带隙氮化镓二维光子晶体板的设计
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：下吉 賢信;浮田 駿;内田 和男;田尻 武義
- 通讯作者：田尻 武義
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Tajiri Takeyoshi其他文献
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- 影响因子：0
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- 影响因子：0
- 作者：
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Fabrication of three-dimensional photonic crystals for near-infrared light by micro-manipulation technique under optical microscope observation
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- 影响因子：2.3
- 作者：
Takahashi Shun;Kimura Erika;Ishida Takeshi;Tajiri Takeyoshi;Watanabe Katsuyuki;Yamashita Kenichi;Iwamoto Satoshi;Arakawa Yasuhiko - 通讯作者：
Arakawa Yasuhiko
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