Development of SiC hybrid integrated circuits operational under harsh environment
Development of SiC hybrid integrated circuits operational under harsh environment
恶劣环境下工作的SiC混合集成电路的开发
批准号：
19K23515
负责人：
Kaneko Mitsuaki
金额：
$1.83万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-08-30 至 2021-03-31
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Experimental Study on Short-Channel Effects in Side-Gate SiC JFETs
侧栅 SiC JFET 短沟道效应的实验研究
侧栅 SiC JFET 短沟道效应的实验研究
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Masashi Nakajima, Q. Jin, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto]
通讯作者：
Tsunenobu Kimoto
Breakdown Characteristics of Lateral PIN Diodes Fully Fabricated by Ion Implantation into HTCVD-Grown High-Purity Semi-Insulating SiC Substrate
HTCVD 生长的高纯半绝缘 SiC 衬底完全离子注入横向 PIN 二极管的击穿特性
HTCVD 生长的高纯半绝缘 SiC 衬底完全离子注入横向 PIN 二极管的击穿特性
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Mitsuaki Kaneko, Tsibizov Alexander, Tsunenobu Kimoto, Ulrike Grossner]
通讯作者：
Ulrike Grossner
Lateral spreads of Al and P atoms implanted into a high-purity semi-insulating SiC substrate
注入高纯半绝缘 SiC 衬底中的 Al 和 P 原子的横向扩散
注入高纯半绝缘 SiC 衬底中的 Al 和 P 原子的横向扩散
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Qimin Jin, Masashi Nakajima, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto]
通讯作者：
Tsunenobu Kimoto
DOI：
10.1109/led.2019.2910598
发表时间：
2019-06-01
期刊：
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
影响因子：
4.9
作者：
[Nakajima, M., Kaneko, M., Kimoto, T.]
通讯作者：
Kimoto, T.
Impacts of Channel Length on Electrical Characteristics in Side-Gate SiC JFETs
沟道长度对侧栅 SiC JFET 电气特性的影响
沟道长度对侧栅 SiC JFET 电气特性的影响
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Masashi Nakajima, Q. Jin, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto]
通讯作者：
Tsunenobu Kimoto
共 7 条
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