Application of Liquid-Phase-Deposited Cerium Oxide Films to Resistive Switching Memory and Low-Voltage Operation by Controlling Film Structure

液相沉积氧化铈薄膜在阻变存储器和控制薄膜结构低电压工作中的应用

• 批准号: 19K23571
• 负责人: Kubota Yuta
• 金额: $ 1.66万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
• 财政年份: 2019
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2019-08-30 至 2022-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19K23571/
• 关键词: 酸化セリウム膜; ガスアシスト液中成膜プロセス; 抵抗変化特性; 膜構造制御; アニオン添加; 抵抗変化型メモリ; 低電圧動作化

项目成果

Resistive Switching Properties of Liquid Phase Deposited Cerium Oxide Films

液相沉积氧化铈薄膜的阻变特性

• 发表时间: 2019
• 作者: Yuta Kubota;Tetsuya Furukawa;Nobuhiro Matsushita
• 通讯作者: Nobuhiro Matsushita

液中成膜プロセスによる酸化セリウム膜の形態制御と抵抗変化型メモリへの応用

浸没式薄膜沉积氧化铈薄膜形貌控制及其在阻变存储器中的应用

• 发表时间: 2021
• 作者: 青木 俊悟;久保田 雄太;松下 伸広
• 通讯作者: 松下 伸広

機能性酸化物膜作製に向けたガスアシスト液中成膜プロセス:CeO2膜とZnO膜の作製と特性評価

用于制造功能性氧化物薄膜的气体辅助液相沉积工艺：CeO2 和 ZnO 薄膜的制备和表征

• 发表时间: 2019
• 作者: 久保田雄太;松下伸広
• 通讯作者: 松下伸広

固液界面での不均一核生成を利用したCeO2成膜の低環境負荷プロセス

利用固液界面异质成核形成 CeO2 薄膜的低环境影响工艺

• 发表时间: 2020
• 作者: 齋藤 健介;久保田 雄太;松下 伸広
• 通讯作者: 松下 伸広

抵抗変化型メモリに向けた液中成膜酸化セリウム膜の酸素空孔量変化と抵抗変化特性評価

电阻变化存储器液体沉积氧化铈薄膜的氧空位量变化和电阻变化特性评价

• 发表时间: 2021
• 作者: 青木 俊悟;久保田 雄太;松下 伸広
• 通讯作者: 松下 伸広