Application of Liquid-Phase-Deposited Cerium Oxide Films to Resistive Switching Memory and Low-Voltage Operation by Controlling Film Structure
Application of Liquid-Phase-Deposited Cerium Oxide Films to Resistive Switching Memory and Low-Voltage Operation by Controlling Film Structure
液相沉积氧化铈薄膜在阻变存储器和控制薄膜结构低电压工作中的应用
批准号：
19K23571
负责人：
Kubota Yuta
金额：
$1.66万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-08-30 至 2022-03-31
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DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Yuta Kubota, Tetsuya Furukawa, Nobuhiro Matsushita]
通讯作者：
Nobuhiro Matsushita
液中成膜プロセスによる酸化セリウム膜の形態制御と抵抗変化型メモリへの応用
浸没式薄膜沉积氧化铈薄膜形貌控制及其在阻变存储器中的应用
浸没式薄膜沉积氧化铈薄膜形貌控制及其在阻变存储器中的应用
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[青木 俊悟, 久保田 雄太, 松下 伸広]
通讯作者：
松下 伸広
機能性酸化物膜作製に向けたガスアシスト液中成膜プロセス:CeO2膜とZnO膜の作製と特性評価
用于制造功能性氧化物薄膜的气体辅助液相沉积工艺：CeO2 和 ZnO 薄膜的制备和表征
用于制造功能性氧化物薄膜的气体辅助液相沉积工艺：CeO2 和 ZnO 薄膜的制备和表征
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[久保田雄太, 松下伸広]
通讯作者：
松下伸広
固液界面での不均一核生成を利用したCeO2成膜の低環境負荷プロセス
利用固液界面异质成核形成 CeO2 薄膜的低环境影响工艺
利用固液界面异质成核形成 CeO2 薄膜的低环境影响工艺
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[齋藤 健介, 久保田 雄太, 松下 伸広]
通讯作者：
松下 伸広
抵抗変化型メモリに向けた液中成膜酸化セリウム膜の酸素空孔量変化と抵抗変化特性評価
电阻变化存储器液体沉积氧化铈薄膜的氧空位量变化和电阻变化特性评价
电阻变化存储器液体沉积氧化铈薄膜的氧空位量变化和电阻变化特性评价
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[青木 俊悟, 久保田 雄太, 松下 伸広]
通讯作者：
松下 伸広
共 7 条