Spectral control of surface Plasmon by Fabry-Perot interference and its application for near-field thermophotovoltaic power generation

本研究は波長選択近接場光を用いた光起電力発電を目指している。波長選択放射体については、タングステン製ピラーアレイ構造放射体および島状金属-絶縁体-平滑裏面金属構造放射体を、波長選択熱光起電力電池については、グリッド状表面電極-薄膜pn接合半導体-裏面平滑電極構造の製作に取り組んでいる。昨年度に引き続き分子線エピタキシャル装置によりInAs基板上にTeドープGaおよびGaそしてSbの分子線によりn型GaSbと、GaとSbの分子線によりアンドープのp型GaSbとを各々およそ50nmの厚みにて積層できることを確認した。その後、InAs基板を塩酸にて取り除いた後、Si基板に金(Au)を蒸着した表面にファンデルワールス力接合により張り付け、さらにp型GaSb表面にグリッド状Au電極をリソグラフィーとリフトオフにより製作できることも確認できた。ここで、pn接合GaSb半導体が薄膜であるため、その表面に波状の凹凸が生ずること、さらに上記のAu蒸着Si基板への貼り付けの際に亀裂が生ずるなど、ここにきて薄膜pn接合GaSb半導体の製作に課題が多く生じ始めた。さらにリフトオフの際にもグリッド電極が剥がれるなど、安定した製作工程には至っていないことも明らかとなった。一方、向かい合う放射体については反応性イオンエッチングによりタングステンの平滑面に断面800×800nmのピラーアレイ構造が製作できるものの、目標とする断面100×100nmには至っておらず、レジストおよび描画装置の調整について試行錯誤を行った。さらに島状金属-絶縁体-裏面平滑金属構造放射体の製作についても同様なサイズの島状金属構造の製作について試行錯誤を行った。

本研究は波長選択近接場光を用いた光起電力発電を目指している。波長選択放射体については、タングステン製ピラーアレイ構造放射体および島状金属-絶縁体-平滑裏面金属構造放射体を、波長選択熱光起電力電池については、グリッド状表面電極-薄膜pn接合半導体-裏面平滑電極構造の製作に取り組んでいる。昨年度に引き続き分子線エピタキシャル装置によりInAs基板上にTeドープGaおよびGaそしてSbの分子線によりn型GaSbと、GaとSbの分子線によりアンドープのp型GaSbとを各々およそ50nmの厚みにて積層できることを確認した。その後、InAs基板を塩酸にて取り除いた後、Si基板に金(Au)を蒸着した表面にファンデルワールス力接合により張り付け、さらにp型GaSb表面にグリッド状Au電極をリソグラフィーとリフトオフにより製作できることも確認できた。ここで、pn接合GaSb半導体が薄膜であるため、その表面に波状の凹凸が生ずること、さらに上記のAu蒸着Si基板への貼り付けの際に亀裂が生ずるなど、ここにきて薄膜pn接合GaSb半導体の製作に課題が多く生じ始めた。さらにリフトオフの際にもグリッド電極が剥がれるなど、安定した製作工程には至っていないことも明らかとなった。一方、向かい合う放射体については反応性イオンエッチングによりタングステンの平滑面に断面800×800nmのピラーアレイ構造が製作できるものの、目標とする断面100×100nmには至っておらず、レジストおよび描画装置の調整について試行錯誤を行った。さらに島状金属-絶縁体-裏面平滑金属構造放射体の製作についても同様なサイズの島状金属構造の製作について試行錯誤を行った。