Generation of Vector Beams using Semiconductor Nanowires
Generation of Vector Beams using Semiconductor Nanowires
使用半导体纳米线生成矢量光束
批准号：
20H02176
负责人：
Motohisa Junichi
金额：
$11.4万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
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熱アニールによるInP/InAsPヘテロ構造ナノワイヤのサイズ制御と発光ダイオード応用
通过热退火和发光二极管应用控制 InP/InAsP 异质结构纳米线的尺寸
通过热退火和发光二极管应用控制 InP/InAsP 异质结构纳米线的尺寸
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[赤松 知弥, 佐々木 正尋, 冨岡 克広, 本久 順一]
通讯作者：
本久 順一
Polarization Analysis of Luminescence from GaAs/InGaAs/GaAs Core-multishell Nanowire Cavity",
GaAs/InGaAs/GaAs核-多壳纳米线腔发光的偏振分析",
GaAs/InGaAs/GaAs核-多壳纳米线腔发光的偏振分析",
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Taiga Kunimoto, Shizuka Obara, Shinjiro Hara, Junichi Motohisa]
通讯作者：
Junichi Motohisa
GaAs/InGaAs/GaAsコアマルチシェルナノワイヤ共振器における発光の解析
GaAs/InGaAs/GaAs 核多壳纳米线谐振器的光发射分析
GaAs/InGaAs/GaAs 核多壳纳米线谐振器的光发射分析
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[国本 大雅, 本久 順一, 原 真二郎]
通讯作者：
原 真二郎
Generation of cylindrical vector beam from GaAs/InGaAs/GaAs core-multishell nanowire cavity
从 GaAs/InGaAs/GaAs 核-多壳纳米线腔生成圆柱形矢量光束
从 GaAs/InGaAs/GaAs 核-多壳纳米线腔生成圆柱形矢量光束
DOI：
10.35848/1347-4065/acb657
发表时间：
2023
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Taiga Kunimoto, Shizuka Obara, Shinjiro Hara, Junichi Motohisa]
通讯作者：
Junichi Motohisa
Control of the size and the emission wavelength in InP-based nanowire quantum dots
InP 基纳米线量子点的尺寸和发射波长的控制
InP 基纳米线量子点的尺寸和发射波长的控制
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Tomoya Akamatsu, Masahiro Sasaki, Katsuhiro Tomioka, and Junichi Motohisa]
通讯作者：
and Junichi Motohisa
共 13 条
Study on Light-Emittind Devices on Si Substrates based on Semiconductor Nanowires
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批准号：17H03223
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.48万
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财政年份：2017
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负责人：Motohisa Junichi
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依托单位：