Study on Light-Emittind Devices on Si Substrates based on Semiconductor Nanowires
Study on Light-Emittind Devices on Si Substrates based on Semiconductor Nanowires
基于半导体纳米线的硅衬底发光器件的研究
批准号：
17H03223
负责人：
Motohisa Junichi
金额：
$11.48万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
DOI：
10.1021/acsphotonics.8b01089
发表时间：
2019-02-01
期刊：
ACS PHOTONICS
影响因子：
7
作者：
[Chiba, Kohei, Yoshida, Akinobu, Motohisa, Junichi]
通讯作者：
Motohisa, Junichi
InP/InAsPナノワイヤLEDの電流注入発光特性
InP/InAsP 纳米线 LED 的电流注入发射特性
InP/InAsP 纳米线 LED 的电流注入发射特性
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[赤松 知弥, 亀田 滉貴, 佐々木 正尋, 冨岡 克広, 本久 順一]
通讯作者：
本久 順一
InP/InAsP/InPヘテロ構造ナノワイヤLEDの作製と評価
InP/InAsP/InP异质结构纳米线LED的制备与评估
InP/InAsP/InP异质结构纳米线LED的制备与评估
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
電子情報通信学会技術研究報告
影响因子：
--
作者：
[赤松 知弥, 亀田 滉貴, 佐々木 正尋, 冨岡 克広, 本久 順一]
通讯作者：
本久 順一
Improved characteristics of InP-based nanowire light-emitting diodes
InP基纳米线发光二极管的改进特性
InP基纳米线发光二极管的改进特性
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[H. Kameda, K. Tomioka, F. Ishizaka, M. Sasaki, J. Motohisa]
通讯作者：
J. Motohisa
Nanowire quantum dots emitting at telecom wavelength
以电信波长发射的纳米线量子点
以电信波长发射的纳米线量子点
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Sasaki, H. Kameda, K. Tomioka, J. Motohisa]
通讯作者：
J. Motohisa
共 21 条
Generation of Vector Beams using Semiconductor Nanowires
-
批准号：20H02176
-
项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
-
资助金额：$11.4万
-
财政年份：2020
-
负责人：Motohisa Junichi
-
依托单位：
海外基金