Enhancement of spin orbit torque by introducing the broken inversion symmetry and development of 3-dimensional magenetic memory

通过引入破缺反演对称性增强自旋轨道扭矩和3维磁记忆的发展

基本信息

  • 批准号:
    20H02182
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.4万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2020
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2020-04-01 至 2023-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(25)
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科研奖励数量(0)
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专利数量(0)
MnGa Film with (001) Texture Fabricated on Thermally Oxidized Si Substrate Using CoGa Buffer Layer
使用 CoGa 缓冲层在热氧化 Si 衬底上制作具有 (001) 织构的 MnGa 薄膜
垂直磁化SAF固定層を用いたCPP-GMR膜の電流誘起磁化反転
使用垂直磁化 SAF 固定层的 CPP-GMR 薄膜的电流感应磁化反转
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    杉本 達哉;高山 雄貴;髙木 朗義;潘達,曹哲,大島大輝,加藤剛志
  • 通讯作者:
    潘達,曹哲,大島大輝,加藤剛志
Perpendicular anisotropy and damping of MgO/Fe/Au trilayers with broken inversion symmetry
反演对称性破缺的 MgO/Fe/Au 三层膜的垂直各向异性和阻尼
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    N. Kamiya;T. Kato;D. Oshima;S. Iwata
  • 通讯作者:
    S. Iwata
Thermally assisted switching of MRAM cell using hybrid memory layer with different Curie temperatures
使用具有不同居里温度的混合存储层热辅助切换 MRAM 单元
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Kato;W. Zhao;D. Oshima;S. Iwata
  • 通讯作者:
    S. Iwata
磁気メモリ素子及び磁気メモリ装置
磁存储元件及磁存储装置
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
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Evaluation of the Fatigue Property of DI-BSCCO Ni Alloy Reinforced Tapes
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  • 通讯作者:
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  • 发表时间:
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  • 影响因子:
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  • 作者:
    Kato Takeshi;Oshima Daiki;Iwata Satoshi;堀内貴裕,山田寛喜
  • 通讯作者:
    堀内貴裕,山田寛喜
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  • 影响因子:
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  • 通讯作者:
    大橋 卓,山田 寛喜,山口 芳雄
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  • DOI:
    10.1186/s40468-022-00193-2
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.8
  • 作者:
    Hirai Akiyo;Oka Hideaki;Kato Takeshi;Maeda Hiroki
  • 通讯作者:
    Maeda Hiroki

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    2023
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  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
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知道了