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Creation of early transition metal-based semiconductors for high efficiency LED utilizing non-bonding crystal orbital

利用非键合晶体轨道创建用于高效率 LED 的早期过渡金属半导体

基本信息

批准号：
20H02434
负责人：
Iimura Soshi
金额：
$ 11.73万
依托单位：
National Institute for Materials Science (2021-2022)Tokyo Institute of Technology (2020)
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（6）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

High pressure synthesis, physical properties and electronic structure of monovalent iron compound LaFePH

一价铁化合物LaFePH的高压合成、物理性质及电子结构

DOI：
10.1016/j.jssc.2022.123546
发表时间：
2022
期刊：
Journal of Solid State Chemistry
影响因子：
3.3
作者：
Soshi Iimura;Takashi Sasaki;Kota Hanzawa;Satoru Matsuishi;Hideo Hosono
通讯作者：
Hideo Hosono

Zn置換によるCuIのホール濃度低下とそのメカニズム

Zn取代导致CuI中空穴浓度降低及其机制

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
辻昌武;飯村壮史;金正煥;細野秀雄
通讯作者：
細野秀雄

Extremely Shallow Valence Band in Lanthanum Trihydride

三氢化镧的极浅价带

DOI：
10.1021/jacs.2c10927
发表时间：
2023
期刊：
Journal of the American Chemical Society
影响因子：
15
作者：
Tomoyuki Yamasaki;Soshi Iimura;Junghwan Kim;Hideo Hosono
通讯作者：
Hideo Hosono

ヒドリドイオンの電気的脱挿入を用いた酸水素化物の抵抗変化と抵抗変化メモリへの応用

利用氢阴离子电脱嵌实现氢氧根电阻变化及其在电阻变化存储器中的应用

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
山崎智之; 高岡遼生; 飯村壮史; 金正煥; 平松秀典; 細野秀雄
通讯作者：
細野秀雄

Characteristic Resistive Switching of Rare-Earth Oxyhydrides by Hydride Ion Insertion and Extraction

通过氢阴离子插入和脱嵌实现稀土氢氧化物的特性电阻开关

DOI：
10.1021/acsami.2c03483
发表时间：
2022
期刊：
ACS Appl. Mater. Interfaces
影响因子：
9.5
作者：
Tomoyuki Yamasaki;Ryosei Takaoka;Soshi Iimura;Junghwan Kim;Hidenori Hiramatsu;and Hideo Hosono
通讯作者：
and Hideo Hosono

DOI：
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作者：
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Iimura Soshi其他文献

Surface Hydroxyl-Ion Diffusion and Hierarchical Structure of Adsorbed Water on Hydrated Layered Double Hydroxides

水合层状双氢氧化物表面羟基离子扩散和吸附水的层次结构

DOI：
10.1021/acs.jpcc.3c00275
发表时间：
2023
期刊：
The Journal of Physical Chemistry C
影响因子：
0
作者：
Yamasaki Tomoyuki;Iimura Soshi;Hosono Hideo;Yamaguchi Shu
通讯作者：
Yamaguchi Shu

揚鉱に用いる粒状体を含む粘性流動体が鉱石に及ぼす力について球の沈降実験による検討

使用球沉降实验检查矿石提升中使用的含有颗粒的粘性流体对矿石施加的力

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Tojo Yujiro;Shibuya Taizo;Nakamura Tetsuro;Shoji Koichiro;Fujioka Hirotaka;Matoba Masanori;Yasui Shintaro;Itoh Mitsuru;Iimura Soshi;Hiramatsu Hidenori;Hosono Hideo;Hirai Shigeto;Mao Wendy;Kitao Shinji;Seto Makoto;Kamihara Yoichi;Su Yan;折田清隆，谷和夫，古庄哲司，鈴木亮彦，田中肇一
通讯作者：
折田清隆，谷和夫，古庄哲司，鈴木亮彦，田中肇一

酸水素化ランタンにおける中温域高速ヒドリドイオン伝導

氢氧化镧中的中温快速氢负离子传导

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
セラミックス
影响因子：
0
作者：
Fukui Keiga;Iimura Soshi;Wang Junjie;Tada Tomofumi;Honda Takashi;Ikeda Kazutaka;Otomo Toshiya;Hosono Hideo;飯村　壮史，福井　慧賀，細野　秀雄
通讯作者：
飯村　壮史，福井　慧賀，細野　秀雄

Electron Affinity Control of Amorphous Oxide Semiconductors and Its Applicability to Organic Electronics

非晶氧化物半导体的电子亲和力控制及其在有机电子学中的应用

DOI：
10.1002/admi.201801307
发表时间：
2018
期刊：
Advanced Materials Interfaces
影响因子：
5.4
作者：
Kim Junghwan;Yamamoto Koji;Iimura Soshi;Ueda Shigenori;Hosono Hideo
通讯作者：
Hosono Hideo

Anomalous Charge State Evolution and Its Control of Superconductivity in M3Al2C (M = Mo, W)

M3Al2C (M = Mo, W) 中的反常电荷态演化及其对超导性的控制

DOI：
10.1016/j.isci.2020.101196
发表时间：
2020
期刊：
iScience
影响因子：
5.8
作者：
Ying Tianping;Muraba Yoshinori;Iimura Soshi;Yu Tongxu;Cheng Peihong;Kamiya Toshio;Lu Yangfan;Li Jiang;Qi Yanpeng;Hosono Hideo
通讯作者：
Hosono Hideo