Creation of early transition metal-based semiconductors for high efficiency LED utilizing non-bonding crystal orbital
Creation of early transition metal-based semiconductors for high efficiency LED utilizing non-bonding crystal orbital
利用非键合晶体轨道创建用于高效率 LED 的早期过渡金属半导体
批准号：
20H02434
负责人：
Iimura Soshi
金额：
$11.73万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
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High pressure synthesis, physical properties and electronic structure of monovalent iron compound LaFePH
一价铁化合物LaFePH的高压合成、物理性质及电子结构
一价铁化合物LaFePH的高压合成、物理性质及电子结构
DOI：
10.1016/j.jssc.2022.123546
发表时间：
2022
期刊：
Journal of Solid State Chemistry
影响因子：
3.3
作者：
[Soshi Iimura, Takashi Sasaki, Kota Hanzawa, Satoru Matsuishi, Hideo Hosono]
通讯作者：
Hideo Hosono
Zn置換によるCuIのホール濃度低下とそのメカニズム
Zn取代导致CuI中空穴浓度降低及其机制
Zn取代导致CuI中空穴浓度降低及其机制
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[辻 昌武, 飯村 壮史, 金 正煥, 細野 秀雄]
通讯作者：
細野 秀雄
DOI：
10.1021/jacs.2c10927
发表时间：
2023
期刊：
Journal of the American Chemical Society
影响因子：
15
作者：
[Tomoyuki Yamasaki, Soshi Iimura, Junghwan Kim, Hideo Hosono]
通讯作者：
Hideo Hosono
ヒドリドイオンの電気的脱挿入を用いた酸水素化物の抵抗変化と抵抗変化メモリへの応用
利用氢阴离子电脱嵌实现氢氧根电阻变化及其在电阻变化存储器中的应用
利用氢阴离子电脱嵌实现氢氧根电阻变化及其在电阻变化存储器中的应用
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[山崎 智之, 高岡 遼生, 飯村 壮史, 金 正煥, 平松 秀典, 細野 秀雄]
通讯作者：
細野 秀雄
Characteristic Resistive Switching of Rare-Earth Oxyhydrides by Hydride Ion Insertion and Extraction
通过氢阴离子插入和脱嵌实现稀土氢氧化物的特性电阻开关
通过氢阴离子插入和脱嵌实现稀土氢氧化物的特性电阻开关
DOI：
10.1021/acsami.2c03483
发表时间：
2022
期刊：
ACS Appl. Mater. Interfaces
影响因子：
9.5
作者：
[Tomoyuki Yamasaki, Ryosei Takaoka, Soshi Iimura, Junghwan Kim, Hidenori Hiramatsu, and Hideo Hosono]
通讯作者：
and Hideo Hosono
共 6 条
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