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Doping and solid solution in SnS: introduction of cations using metals with low melting point as a reaction field

Doping and solid solution in SnS: introduction of cations using metals with low melting point as a reaction field
SnS中的掺杂和固溶：使用低熔点金属作为反应场引入阳离子
批准号：
20H02495
负责人：
Nose Yoshitaro
金额：
$11.48万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20H02495/
关键词：
化学ポテンシャル制御反応場二次元材料固溶体ドーピングpn反転硫化錫化学ポテンシャル製膜蒸留スピンコーティングホモpn接合バルク結晶成長フラックス格子欠陥

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DOI： --
发表时间： 2020
期刊：
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通讯作者： 野瀬 嘉太郎
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期刊： Physical Chemistry Chemical Physics
影响因子： 3.3
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通讯作者： Tanaka Shin-Ichiro
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通讯作者： 石谷 康平,勝部 涼司，野瀬 嘉太郎
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发表时间： 2021
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通讯作者： Yoshitaro Nose,Kohei Ishigai
共 11 条
    Processing of semiconductor thin films besed on chemical potential diagram - SnS as a model
    • 批准号：
      17H03436
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.4万
    • 财政年份：
      2017
    • 负责人：
      Nose Yoshitaro
    • 依托单位：
      Kyoto University
    Development of new chalcopyrite phosphides and its application to solar cells
    • 批准号：
      26289279
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.4万
    • 财政年份：
      2014
    • 负责人：
      Nose Yoshitaro
    • 依托单位：
      Kyoto University
    海外基金