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Doping and solid solution in SnS: introduction of cations using metals with low melting point as a reaction field

SnS中的掺杂和固溶：使用低熔点金属作为反应场引入阳离子

基本信息

批准号：
20H02495
负责人：
Nose Yoshitaro
金额：
$ 11.48万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（11）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

低融点金属溶媒を利用した (Ge,Sn)Sの作製

低熔点金属溶剂制备(Ge,Sn)S

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
市川智士;勝部涼司;野瀬嘉太郎
通讯作者：
野瀬嘉太郎

Direct evaluation of hole effective mass of SnS?SnSe solid solutions with ARPES measurement

ARPES测量直接评价SnS?SnSe固溶体的孔有效质量

DOI：
10.1039/d1cp04553a
发表时间：
2022
期刊：
Physical Chemistry Chemical Physics
影响因子：
3.3
作者：
Suzuki Issei;Lin Zexin;Kawanishi Sakiko;Tanaka Kiyohisa;Nose Yoshitaro;Omata Takahisa;Tanaka Shin-Ichiro
通讯作者：
Tanaka Shin-Ichiro

蒸留操作を用いたn-SnSe薄膜の作製

采用蒸馏法制备 n-SnSe 薄膜

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
大内隆成;岡部徹;柳谷理沙，鈴木由美，佐藤翔輔，田中聡，重川希志依;Xin Lu，竹田修，朱鴻民;Yoshi Fujiwara;滝本優介，Ji Ha Lee，矢吹彰広;石谷康平,勝部涼司，野瀬嘉太郎
通讯作者：
石谷康平,勝部涼司，野瀬嘉太郎

Deposition of n-type SnSe thin films doped with Bi

Bi 掺杂 n 型 SnSe 薄膜的沉积

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
H. Kobatake;M. Iwabuchi;Y. Kurokawa;M. Ohtsuka;M. Adachi;H. Fukuyama;N. Sasajima;Y. Yamada;中川政治，佐藤翔輔，浅利満理子;椿　広計;Yoshitaro Nose,Kohei Ishigai
通讯作者：
Yoshitaro Nose,Kohei Ishigai

Ge-S-Bi三元系における相平衡

Ge-S-Bi三元体系的相平衡

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Ouchi Takanari;Wu Shuang;Okabe Toru H.;渡遥輝,石谷康平，野瀬嘉太郎
通讯作者：
渡遥輝,石谷康平，野瀬嘉太郎

DOI：
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作者：
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DOI：
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2022
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影响因子：
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0
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影响因子：
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通讯作者：
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