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Processing of semiconductor thin films besed on chemical potential diagram - SnS as a model

Processing of semiconductor thin films besed on chemical potential diagram - SnS as a model
基于化学势图的半导体薄膜加工——以SnS为模型
批准号：
17H03436
负责人：
Nose Yoshitaro
金额：
$11.4万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17H03436/
关键词：
化学ポテンシャル反応拡散蒸留ヘテロ界面単結晶二次元材料カルコゲナイド化学ポテンシャル図近接昇華法バルク結晶太陽電池蒸気圧ドーピング硫化すず硫化成膜手法

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反応拡散を利用したSnSの成膜
使用反应扩散形成 SnS 薄膜
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [岩田晃樹, 勝部涼司，中塚滋，野瀬嘉太郎]
通讯作者： 勝部涼司，中塚滋，野瀬嘉太郎
化学ポテンシャルを制御した硫化スズ(II)(SnS)の成膜
化学势可控的硫化锡 (SnS) 成膜
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [岩田晃樹, 勝部涼司，中塚滋，野瀬嘉太郎]
通讯作者： 勝部涼司，中塚滋，野瀬嘉太郎
単相SnSを用いた薄膜太陽電池セルの作製
使用单相 SnS 制造薄膜太阳能电池
DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [武村友輝，勝部涼司，桑野太郎，野瀬嘉太郎]
通讯作者： 武村友輝，勝部涼司，桑野太郎，野瀬嘉太郎
気相成長法を用いたSnS単相バルク結晶作製
使用气相生长法制造 SnS 单相块状晶体
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [Atsushi Fujiwara, Satoshi Watanabe, Minoru T. Miyahara, 武村友輝，勝部涼司，野瀬嘉太郎]
通讯作者： 武村友輝，勝部涼司，野瀬嘉太郎
共 10 条
    Doping and solid solution in SnS: introduction of cations using metals with low melting point as a reaction field
    • 批准号：
      20H02495
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.48万
    • 财政年份：
      2020
    • 负责人：
      Nose Yoshitaro
    • 依托单位：
      Kyoto University
    Development of new chalcopyrite phosphides and its application to solar cells
    • 批准号：
      26289279
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.4万
    • 财政年份：
      2014
    • 负责人：
      Nose Yoshitaro
    • 依托单位：
      Kyoto University
    海外基金