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Processing of semiconductor thin films besed on chemical potential diagram - SnS as a model

基于化学势图的半导体薄膜加工——以SnS为模型

基本信息

批准号：
17H03436
负责人：
Nose Yoshitaro
金额：
$ 11.4万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

反応拡散を利用したSnSの成膜

使用反应扩散形成 SnS 薄膜

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
岩田晃樹;勝部涼司，中塚滋，野瀬嘉太郎
通讯作者：
勝部涼司，中塚滋，野瀬嘉太郎

化学ポテンシャルを制御した硫化スズ(II)(SnS)の成膜

化学势可控的硫化锡 (SnS) 成膜

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
岩田晃樹;勝部涼司，中塚滋，野瀬嘉太郎
通讯作者：
勝部涼司，中塚滋，野瀬嘉太郎

単相SnSを用いた薄膜太陽電池セルの作製

使用单相 SnS 制造薄膜太阳能电池

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
武村友輝，勝部涼司，桑野太郎，野瀬嘉太郎
通讯作者：
武村友輝，勝部涼司，桑野太郎，野瀬嘉太郎

気相成長法を用いたSnS単相バルク結晶作製

使用气相生长法制造 SnS 单相块状晶体

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Atsushi Fujiwara;Satoshi Watanabe;Minoru T. Miyahara;武村友輝，勝部涼司，野瀬嘉太郎
通讯作者：
武村友輝，勝部涼司，野瀬嘉太郎

SnS単相バルク結晶作製と電気特性評価

SnS单相块晶制备及电性能评价

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kakinuma Katsuyoshi;Suda Kohei;Kobayashi Ryo;Tano Tetsuro;Arata Chisato;Amemiya Isao;Watanabe Sumitaka;Matsumoto Masashi;Imai Hideto;Iiyama Akihiro;Uchida Makoto;藤原篤史，渡邉哲，宮原稔;武村友輝，勝部涼司，野瀬嘉太郎
通讯作者：
武村友輝，勝部涼司，野瀬嘉太郎

DOI：
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作者：
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作者：
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通讯作者：
Tanaka Shin-Ichiro

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影响因子：
0
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通讯作者：
Tanaka Isao