パイロクロア型酸化物へのアニオンドープによる新規物性発現

点击翻译按钮获取中文摘要

本研究では、パイロクロア酸化物において、酸素量の調整や酸素位置への異種アニオンの導入を試み、新規物性の開拓を目的とした。本年度は、新規磁気秩序の発現を目指すため、Ho2Ti2O7薄膜をパルスレーザー堆積法によって作製した後、アニオン源と共に加熱することでアニオンドープを試みた。ヒドリド源としてはCaH2を、フッ素イオン源としてはポリフッ化ビニリデンを用いた。アニオン源と加熱したのち、結晶構造および化学組成の変化を観察したところ、どちらのアニオン源の場合も変化が見られなかった。これより、今回の実験条件では、Ho2Ti2O7薄膜にヒドリドおよびフッ素イオンのどちらもドープされないことが判明した。一方、申請者は上記の研究と並行して、ペロブスカイト型酸窒化物薄膜を作製し、その新規物性開拓も行った。酸窒化物薄膜の作製には、窒素プラズマ支援パルスレーザー堆積法を用いた。レーザー周波数や入力電力を調整した結果、窒素量の異なるEuNbO3-xNx薄膜の作製に成功した。低温でそれらの磁気輸送特性を測定した結果、磁気抵抗効果を窒素量によって劇的に制御できることを見出した。また、SrWO2N薄膜の作製にも成功し、酸窒化物としては珍しく、電極応用可能なレベルにまで低い電気抵抗率を持つことを示した。本研究により、ペロブスカイト型酸窒化物薄膜が電子材料として有望であることが明らかになった。