パイロクロア型酸化物へのアニオンドープによる新規物性発現

通过烧绿石型氧化物的阴离子掺杂表现出新的物理性能

基本信息

  • 批准号:
    20J13190
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.34万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 财政年份:
    2020
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2020-04-24 至 2022-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本研究では、パイロクロア酸化物において、酸素量の調整や酸素位置への異種アニオンの導入を試み、新規物性の開拓を目的とした。本年度は、新規磁気秩序の発現を目指すため、Ho2Ti2O7薄膜をパルスレーザー堆積法によって作製した後、アニオン源と共に加熱することでアニオンドープを試みた。ヒドリド源としてはCaH2を、フッ素イオン源としてはポリフッ化ビニリデンを用いた。アニオン源と加熱したのち、結晶構造および化学組成の変化を観察したところ、どちらのアニオン源の場合も変化が見られなかった。これより、今回の実験条件では、Ho2Ti2O7薄膜にヒドリドおよびフッ素イオンのどちらもドープされないことが判明した。一方、申請者は上記の研究と並行して、ペロブスカイト型酸窒化物薄膜を作製し、その新規物性開拓も行った。酸窒化物薄膜の作製には、窒素プラズマ支援パルスレーザー堆積法を用いた。レーザー周波数や入力電力を調整した結果、窒素量の異なるEuNbO3-xNx薄膜の作製に成功した。低温でそれらの磁気輸送特性を測定した結果、磁気抵抗効果を窒素量によって劇的に制御できることを見出した。また、SrWO2N薄膜の作製にも成功し、酸窒化物としては珍しく、電極応用可能なレベルにまで低い電気抵抗率を持つことを示した。本研究により、ペロブスカイト型酸窒化物薄膜が電子材料として有望であることが明らかになった。
This study で は, パ イ ロ ク ロ ア acidification content に お い て の adjust や acid, acid quantity element position へ の heterogeneous ア ニ オ ン の import を try み purpose, new rules property の pioneering を と し た. Magnetic 気 は, new rules this year order の 発 now を refers す た め, Ho2Ti2O7 film を パ ル ス レ ー ザ ー accumulation method に よ っ て cropping し た, ア ニ オ ン heating source と altogether に す る こ と で ア ニ オ ン ド ー プ を try み た. ヒ ド リ ド source と し て は CaH2 を, フ ッ element イ オ ン source と し て は ポ リ フ ッ change ビ ニ リ デ ン を with い た. ア ニ オ ン heating source と し た の ち, crystallization structure お よ び chemical composition の variations change を 観 examine し た と こ ろ, ど ち ら の ア ニ オ ン source も の occasions - the が see ら れ な か っ た. こ れ よ り, today back to の be 験 conditions で は, Ho2Ti2O7 film に ヒ ド リ ド お よ び フ ッ element イ オ ン の ど ち ら も ド ー プ さ れ な い こ と が.at し た. One party, the applicant は written の research と parallel し て, ペ ロ ブ ス カ イ ト type acid smothering し, the compound film を cropping そ の line new rules on property development も っ た. The production of acid nitride films is に に, and nitrile プラズ <e:1> support パ スレ スレ ザ ザ を stacking method を is used in た た. Youdaoplaceholder0 ザ ザ ザ frequency や input power を adjustment <s:1> た result, nitrogen content <s:1> different なるEuNbO3-xNx thin film <e:1> fabrication に successful た た. Cryogenic で そ れ ら の magnetic 気 conveying characteristics を test し た results, magnetic 気 resistance unseen を smothering element quantity に よ っ て drama に suppression で き る こ と を shows し た. ま た, SrWO2N film の cropping に も successful し smothering, acid compound と し て は Jane し く, electrode 応 may な レ ベ ル に ま で low い 気 resistance を hold つ こ と を shown し た. This study に よ り, ペ ロ ブ ス カ イ ト smothering type acid compound film が electronic materials と し て could で あ る こ と が Ming ら か に な っ た.

项目成果

期刊论文数量(4)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Influence of fluorination on electronic states and electron transport properties of Sr2IrO4 thin films
  • DOI:
    10.1039/d0tc01734e
  • 发表时间:
    2020-06
  • 期刊:
  • 影响因子:
    6.4
  • 作者:
    T. Maruyama;A. Chikamatsu;T. Katayama;K. Kuramochi;H. Ogino;M. Kitamura;K. Horiba;H. Kumigashira;T. Hasegawa
  • 通讯作者:
    T. Maruyama;A. Chikamatsu;T. Katayama;K. Kuramochi;H. Ogino;M. Kitamura;K. Horiba;H. Kumigashira;T. Hasegawa
Ru3+を持つ新規層状酸フッ化物Ca2RuO2.5F2薄膜の作製
Ru3+制备新型层状氟氧化物Ca2RuO2.5F2薄膜
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    近松彰;福間翔太;片山司;丸山敬裕;柳澤圭一;木本浩司;北村未歩;堀場弘司;組頭広志;廣瀬靖;長谷川哲也
  • 通讯作者:
    長谷川哲也
Investigation of the electronic states of A-site layer-ordered double perovskite YBaCo2Ox (x = 5.3 and 6) thin films by x-ray spectroscopy
通过 X 射线光谱研究 A 位层有序双钙钛矿 YBaCo2Ox(x = 5.3 和 6)薄膜的电子态
  • DOI:
    10.1063/5.0031096
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    Chikamatsu Akira;Katayama Tsukasa;Maruyama Takahiro;Kitamura Miho;Horiba Koji;Kumigashira Hiroshi;Wadati Hiroki;Hasegawa Tetsuya
  • 通讯作者:
    Hasegawa Tetsuya
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丸山 敬裕其他文献

高圧・薄膜合成で開拓する定比組成タングステンブロンズおよび複合アニオン化合物
通过高压薄膜合成开发的化学计量成分钨青铜和复合阴离子化合物
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    難波 杜人;高津 浩;北川 俊作;三木田 梨歩;姚 思伽;石田 憲二;寺嶋 孝仁;陰山 洋;木本 浩司;片山 真祥;伊奈 稔哲;加藤 和男;丸山 敬裕;近松 彰;長谷川 哲也;Ryota Takahashi;高津 浩
  • 通讯作者:
    高津 浩
パルスレーザー堆積法によるEuNbO3薄膜の合成と物性評価
脉冲激光沉积法制备EuNbO3薄膜及物性评价
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    丸山 敬裕;近松 彰;小野塚 智也;山田 佳補;長谷川 哲也
  • 通讯作者:
    長谷川 哲也
EuNbO3-xNx薄膜における負の磁気抵抗効果
EuNbO3-xNx 薄膜中的负磁阻效应
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    丸山 敬裕;近松 彰;廣瀬 靖;片山 司;長谷川 哲也
  • 通讯作者:
    長谷川 哲也
SrTiO3, KTaO3基板上に作製したEuNbO3薄膜の巨大な正の磁気抵抗
SrTiO3、KTaO3 衬底上制备 EuNbO3 薄膜的巨大正磁阻
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    丸山 敬裕;近松 彰;小野塚 智也;山田 佳補;長谷川 哲也
  • 通讯作者:
    長谷川 哲也
新規酸水素化物EuVO2Hの合成と基板応力による物性制御
新型羟基氢化物EuVO2H的合成及基质应力对物理性能的控制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    難波 杜人;高津 浩;北川 俊作;三木田 梨歩;姚 思伽;石田 憲二;寺嶋 孝仁;陰山 洋;木本 浩司;片山 真祥;伊奈 稔哲;加藤 和男;丸山 敬裕;近松 彰;長谷川 哲也
  • 通讯作者:
    長谷川 哲也

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