磁性体スピントロニクスに基づく色中心エンジニアリング
磁性体スピントロニクスに基づく色中心エンジニアリング
批准号:
20J14418
负责人:
篠崎 基矢
金额:
$1.28万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2020
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2020-04-24 至 2022-03-31
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英文摘要
磁気トンネル接合(MTJ)の非線形輸送特性について詳細に調べた。非線形性の原因の一つとして知られる非弾性トンネル効果については、磁性体由来の寄与も数多く報告されており、分光学的観点から精力的に研究が行われてきた。一方で非線形なIV特性を低バイアス領域付近で級数展開的に解析しその係数である非線形コンダクタンスに特徴づけることで定量的評価を行った実験的報告はごく僅かである。そこで直径15~100nmの垂直容易軸を有するMTJにおいて非線形コンダクタンスの観点から非線形輸送特性の評価を行った。2次の非線形コンダクタンスG2については、素子直径Dの減少に従い増大する傾向が観測された。この傾向は、MTJ素子のエッジ部におけるバンド構造の非対称性を考慮することで説明することができた。こうしたエッジ部における非対称性の起源としては微細加工プロセスの影響が考えられ、別途測定した強磁性共鳴の結果からも同じ結論が得られた。また、3次の非線形コンダクタンスG3については、G3とG1の間に非自明な負の相関関係が観測され、これはスピンフリップを考慮したトンネルコンダクタンスモデルを仮定することで定性的に説明することができた。こうしたスピンフリップの要因としてはマグノンの生成・消滅が考えられ、この描像は従来研究されてきた分光学的観点からの考察と一致する。またG3とG2の間には正の相関が見られ、マグノンの影響に加えて微細加工プロセスの影響がG3にも寄与している可能性が示唆された。以上、外因的寄与として微細加工プロセス、内因的寄与としてマグノン生成・消滅がTMR比低下の要因となる非線形輸送特性を生じさせることを明らかにした。また、こうした非線形コンダクタンスの振る舞いを明らかにしたことで、スピン依存伝導が顕著な系における非平衡物理研究への展開も期待される。
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機械学習による量子ドットの電荷状態推定
通过机器学习估计量子点的电荷状态
DOI:
--
发表时间:
2020
期刊:
影响因子:
--
作者:
[中曽拓, 篠﨑基矢, 相澤拓海, 北田孝仁, 武藤由依, 中島峻, Matthieu R. Delbecq, 米田淳, 武田健, 野入亮人, 伊藤匠, Arne Ludwig, Andreas D. Wieck, 樽茶清悟, 兼村厚範, 大塚朋廣]
通讯作者:
大塚朋廣
量子ドット高周波反射測定のノイズ解析
量子点高频反射测量的噪声分析
DOI:
--
发表时间:
2020
期刊:
影响因子:
--
作者:
[篠﨑基矢, 武藤由依, 北田孝仁, 中島峻, Matthieu R. Delbecq, 米田淳, 武田健太, 野入亮人, 伊藤匠, Arne Ludwig, Andreas D. Wieck, 樽茶清悟, 大塚朋廣]
通讯作者:
大塚朋廣
ベイズ手法による量子ドット電荷状態推定のノイズ依存性
使用贝叶斯方法估计量子点电荷状态的噪声依赖性
DOI:
--
发表时间:
2020
期刊:
影响因子:
--
作者:
[武藤由依, 篠﨑基矢, 北田孝仁, 永安修也, 中島峻, Matthieu R. Delbecq, 米田淳, 武田健太, 野入亮人, Sen Li, 伊藤匠, 樽茶清悟, 大塚朋廣]
通讯作者:
大塚朋廣
CVDグラフェンナノリボンにおける単一量子ドット形成
CVD 石墨烯纳米带中单量子点的形成
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[北田孝仁, 阿部峰也, 瀬尾瑞樹, 佐藤尚郁, 篠﨑基矢, 相澤拓海, 武藤由依, 金子俊郎, 加藤俊顕, 大塚朋廣]
通讯作者:
大塚朋廣
GaN FET の電流コラプス下における量子ドット形成
GaN FET 电流崩塌下量子点的形成
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[阿部峰也, 篠崎基矢, 相澤拓海, 熊坂武志, 伊藤範和, 田中岳利, 中原健, 大塚朋廣]
通讯作者:
大塚朋廣
共 20 条
半導体量子ドットにおける超高速量子状態観測手法の開発実証
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批准号:22K20426
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项目类别:Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
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资助金额:$1.83万
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财政年份:2022
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负责人:篠崎 基矢
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依托单位:
海外基金