权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

電磁的情報漏えいの脅威に対抗するトロージャンフリーなハードウェア設計技術の開拓

开发无木马硬件设计技术应对电磁信息泄露威胁

基本信息

批准号：
20J14937
负责人：
鍛治秀伍
金额：
$ 1.47万
依托单位：
Nara Institute of Science and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2020
资助国家：
日本
起止时间：
2020-04-24 至 2022-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究では、電磁情報漏えいを引き起こすトロージャンフリーなハードウェア設計技術の確立のため、(1)差動信号を伝送するデバイスに着目した意図的電磁妨害による情報漏えいのメカニズムを解明すると共に、(2)意図的電磁妨害による情報漏えいの耐性評価法について検討した。(1)では、差動信号を伝送する機器としてUSBキーボードに着目し、差動信号の立ち上がり/立ち下がり時間のミスマッチなどがノイズ耐性を低下させることを実験的に検討した。そして、差動信号を伝送する機器に対する意図的電磁妨害による情報漏えいのメカニズムを明らかにした。(2)では、意図的電磁妨害による情報漏えいの耐性評価時に侵襲的計測を必要とせず、伝送信号をタイミング同期用信号として用いた耐性評価法を提案した。意図的電磁妨害によって引き起こされる情報漏えい波形は、ICの出力バッファの出力インピーダンスの変動に起因しているため、(1)で着目した差動信号の合成波形をタイミング同期用信号として用い、本手法の有効性を確認した。さらに、ハードウェアへのトロージャン混入の対策としてIC内部に実装可能な静電容量センサを用いた認証技術の開発を進め、プリント基板レベルの真正性を保証する技術について検討した。

This study では, electromagnetic information leakage えいを lead き up こすトロージャンフリーなハードウェアの design technology to establish のため, (1) differential signal を伝 send するデバイスに with mesh した meaning 図 electromagnetic sabotage による intelligence leak えいのメカニズムを interpret するとに, (2) meaning 図 electromagnetic sabotage による intelligence leak えい価の patient assessment France にににて検て検て検 seek た. (1) では, differential signal を伝 send する machine として USB キーボードに mesh し, differential signal の made ちがり / set ちがり time のミスマッチなどがノイズ low patience をさせることを be 験 of に beg し検た. そして, differential signal を伝 send する machine にす seaborne る meaning 図 electromagnetic sabotage による intelligence leak えいのメカニズムを Ming らかにした. (2) では, meaning 図 electromagnetic による intelligence leak えいの patience when reviewing 価に invade measuring を necessary とせず, 伝 send signal をタイミング period by signal として in いた tolerance evaluation 価 method proposed をした. Meaning 図 electromagnetic sabotage によって lead き up こされる intelligence leak えは, IC のい waveform output バッファの output インピーダンスの - move に cause しているため, (1) でしたの differential signal waveform synthesis をタイミング period by signal として in い, this technique の have sharper を confirm した. さらに, ハードウェアへのトロージャンの with ce seaborne として IC internal に electrostatic capacity may be loaded なセンサを with いた authentication technology の open 発をめ, プリント substrate レベルのを ensure real する technology について beg し検た.