In-situ Röntgen-Diffraktometer

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Organische Halbleiter werden in dünnen Schichten (einige nm bis einige hundert nm) untersucht und in Bauelementen angewandt. Die Schichtmorphologie spielt für die Funktion der Bauelemente eine entscheidende Rolle. Allerdings war es bislang nicht möglich, diese in kontrollierter Weise zu untersuchen, da hierfür die Proben an Luft ausgeschleust werden mussten, was zu unkontrollierten Veränderungen führen kann. Durch die hier beantragte Anlage kann dies unter kontrollierten Bedingungen erfolgen. Weiterhin wird es auch erstmals möglich, Schichten von Bauelement-Strukturen in verschiedenen Stadien der Herstellung zu charakterisieren. Schließlich bietet das Gerät noch die Möglichkeit, die Morphologie der Schichten unter dem Einfluss der Temperatur und der Konzentration von eingelassenen gasförmigen Stoffen in situ zu untersuchen. Mit diesem Gerät erhalten die fünf Forschergruppen des DC-IAPP völlig neue Möglichkeiten für ihre Forschung an organischen Halbleitern.