Control of topological electronic state of bismuth atomic layer using epitaxial strain
Control of topological electronic state of bismuth atomic layer using epitaxial strain
利用外延应变控制铋原子层的拓扑电子态
批准号：
20K03821
负责人：
Takahashi Kazutoshi
金额：
$2.75万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
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Thickness dependent band structure of α-bismuthene grown on epitaxial graphene
外延石墨烯上生长的α-铋烯的厚度依赖性能带结构
外延石墨烯上生长的α-铋烯的厚度依赖性能带结构
DOI：
10.1088/1361-648x/ac5e06
发表时间：
2022
期刊：
Journal of Physics: Condensed Matter
影响因子：
--
作者：
[Takahashi Kazutoshi, Imamura Masaki, Yamamoto Isamu, Azuma Junpei]
通讯作者：
Azuma Junpei
SiGeバルク単結晶の三次元バンド構造
SiGe块状单晶的三维能带结构
SiGe块状单晶的三维能带结构
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[梅田裕稀, 今村真幸, 山本勇, 東純平, 高井良真里奈, 生駒嘉史, 荒井康智, 高橋和敏]
通讯作者：
高橋和敏
試料制御ステージの電動化によるグラフェンの空間分布の可視化
通过样品控制台的机动化实现石墨烯空间分布的可视化
通过样品控制台的机动化实现石墨烯空间分布的可视化
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[今村真幸, 長山佑哉, 高橋和敏]
通讯作者：
高橋和敏
佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター
佐贺大学同步加速器光应用研究中心
佐贺大学同步加速器光应用研究中心
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
放射光光電子分光によるTi4O7の電子状態
同步辐射光电子能谱法测定 Ti4O7 的电子态
同步辐射光电子能谱法测定 Ti4O7 的电子态
DOI：
--
发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
--
作者：
[古田 虎太朗, 東 純平, 山本 勇, 渡邊 雅之, 高橋 和敏]
通讯作者：
高橋 和敏
共 13 条
Surface electronic structure studied by linear and circular dichroism of the two-dimensional angle-resolved photoemission mapping
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批准号：16K13726
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额：$2.41万
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财政年份：2016
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负责人：Takahashi Kazutoshi
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依托单位：
Photoemission study of graphene related materials using synchrotron radiation and laser
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批准号：26286008
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$8.65万
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财政年份：2014
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负责人：Takahashi Kazutoshi
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依托单位：
海外基金