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Realization and application to spintronics of novel half metallic ternary transition-metal chalcogenides

新型半金属三元过渡金属硫属化物的实现及其在自旋电子学中的应用

基本信息

批准号：
20K04558
负责人：
Kanazawa Ken
金额：
$ 2.75万
依托单位：
University of Tsukuba
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（12）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

筑波大学　数理物質系　黒田・金澤研究室

筑波大学数学与材料系黑田/金泽实验室

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

MBE法を用いたGaAs(001)上へのMn添加FeTe薄膜の作製とその磁化特性

MBE法在GaAs(001)上制备Mn掺杂FeTe薄膜及其磁化性能

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
安齊廷玄;金澤研;黒田眞司
通讯作者：
黒田眞司

磁性半導体MnTe/ FeTe二層膜構造における交換バイアスの発現

磁性半导体MnTe/FeTe双层结构交换偏压的表达

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
安齊廷玄;金澤研;黒田眞司
通讯作者：
黒田眞司

筑波大学　数理物質系　重川研究室

筑波大学数学与材料系重川实验室

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

MBEによりGaAs(001)基板上に成長したFeTe薄膜へのアニール効果

MBE对GaAs(001)衬底上FeTe薄膜的退火效应

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
安齊廷玄;金澤研;黒田眞司
通讯作者：
黒田眞司

DOI：
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Study of mechanism of ferromagnetism in magnetic semiconductor and application to fabrication of magnetic nanostructure by spin-polarized STM

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资助金额：
$ 2.75万
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$ 2.75万
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