Development of power device with rock salt structure wide bandgap semiconductor grown by mist CVD method
Development of power device with rock salt structure wide bandgap semiconductor grown by mist CVD method
雾气CVD法生长岩盐结构宽带隙半导体功率器件的研制
批准号：
20K04580
负责人：
Ikenoue Takumi
金额：
$2.75万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
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Epitaxial Growth and Bandgap Control of Ni1?xMgxO Thin Film Grown by Mist Chemical Vapor Deposition Method
雾化化学气相沉积法生长Ni1?xMgxO薄膜的外延生长及带隙控制
雾化化学气相沉积法生长Ni1?xMgxO薄膜的外延生长及带隙控制
DOI：
10.1557/adv.2020.219
发表时间：
2020
期刊：
MRS Advances
影响因子：
0.8
作者：
[Ikenoue Takumi, Yoneya Satoshi, Miyake Masao, Hirato Tetsuji]
通讯作者：
Hirato Tetsuji
ミスト CVD 法による高 Mg 組成 Ni1-xMgxO 薄膜のエピタキシャル成長
雾气CVD法外延生长高Mg成分Ni1-xMgxO薄膜
雾气CVD法外延生长高Mg成分Ni1-xMgxO薄膜
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[孫 芸華, 池之上 卓己, 三宅 正男, 平藤 哲司]
通讯作者：
平藤 哲司
ミストCVD法を用いた NiO 成長における成長温度の影響
生长温度对雾气CVD法生长NiO的影响
生长温度对雾气CVD法生长NiO的影响
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[上野 暢路, 池之上 卓己, 三宅 正男, 平藤 哲司]
通讯作者：
平藤 哲司
The relationship between the composition and lattice constant of MgO-NiO-ZnO semiconductors
MgO-NiO-ZnO半导体的成分与晶格常数的关系
MgO-NiO-ZnO半导体的成分与晶格常数的关系
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Shintaro Iida, Takumi Ikenoue, Masao Miyake, and Tetsuji Hirato]
通讯作者：
and Tetsuji Hirato
MgO 基板と格子整合する MgO-NiO-ZnO 混晶半導体
与MgO衬底晶格匹配的MgO-NiO-ZnO混晶半导体
与MgO衬底晶格匹配的MgO-NiO-ZnO混晶半导体
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[飯田真太郎, 池之上卓己, 三宅正男, 平藤哲司]
通讯作者：
平藤哲司
共 6 条