A study on ultra-sensitive sensor using horizontal slot waveguides with localized light in very small area
A study on ultra-sensitive sensor using horizontal slot waveguides with localized light in very small area
极小面积局域光水平槽波导超灵敏传感器研究
批准号：
20K04628
负责人：
NAKATSUHARA Katsumi
金额：
$2.83万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
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SiとNb2O5を用いたSiO2水平スロット導波路の提案
使用Si和Nb2O5的SiO2水平缝隙波导的提案
使用Si和Nb2O5的SiO2水平缝隙波导的提案
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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作者：
[日向匠未, 端山喜紀, 渥美健斗, 中津原克己, 武田正行]
通讯作者：
武田正行
中空スロット構造を有するNb2O5バーティカルグレーティング導波路の製作
空心槽结构Nb2O5垂直光栅波导的制作
空心槽结构Nb2O5垂直光栅波导的制作
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[端山 喜紀, 勝俣 直也, 山中 直貴, 中津原 克己, 武田 正行, 西澤 武志]
通讯作者：
西澤 武志
Fabrication of horizontal three-layer SiO2-slot waveguide sandwiched by Nb2O5
Nb2O5 夹层水平三层 SiO2 槽波导的制作
Nb2O5 夹层水平三层 SiO2 槽波导的制作
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Takumi Hinata, Yoshiki Hayama, Yuki Shimamura, Katsumi Nakatsuhara]
通讯作者：
Katsumi Nakatsuhara
Nb2O5 horizontal slot waveguides with side-wall grating structures
具有侧壁光栅结构的Nb2O5水平槽波导
具有侧壁光栅结构的Nb2O5水平槽波导
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Takumi Hinata, Yoshiki Hayama, Naoya Katsumata, Katsumi Nakatsuhara, Masayuki Takeda, Takeshi Nishizawa]
通讯作者：
Takeshi Nishizawa
SiとNb2O5を用いた水平スロット導波路の断面構造に関する理論的検討
Si、Nb2O5水平缝隙波导截面结构的理论研究
Si、Nb2O5水平缝隙波导截面结构的理论研究
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[秋山 真穂, 鈴木 菜央, 日向 匠未, 端山 喜紀, 中津原 克己]
通讯作者：
中津原 克己
共 9 条
A study of integrated tunable wavelength filter array featuring ferroelectric liquid crystal
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批准号：22560351
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.83万
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财政年份：2010
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负责人：NAKATSUHARA Katsumi
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依托单位：
海外基金