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Study of recombination reduction mechanism between chalcopyrite compound semiconductors and oxide films
黄铜矿化合物半导体与氧化膜复合还原机理研究
基本信息
- 批准号：20K05340
- 负责人：
- 金额：$ 2.83万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2020
- 资助国家：日本
- 起止时间：2020-04-01 至 2023-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（9）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Influences of Al2O3 passivation layers on the property of CIGS solar cells
Al2O3钝化层对CIGS太阳能电池性能的影响
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：小林篤;紀平俊矢;武田崇仁;小林正起;秋山亨;河村貴宏;原田尚之;上野耕平;藤岡洋;上川 由紀子
- 通讯作者：上川 由紀子
Influence of argon pressure on sputter-deposited molybdenum back contacts for flexible Cu(In,Ga)Se2 solar cells on polyimide films
氩气压力对聚酰亚胺薄膜上柔性 Cu(In,Ga)Se2 太阳能电池溅射沉积钼背接触的影响
- DOI：10.1016/j.solener.2022.06.006
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：6.7
- 作者：Kamikawa Yukiko;Masuda Taizo;Nishinaga Jiro;Ishizuka Shogo
- 通讯作者：Ishizuka Shogo
CIGS太陽電池におけるパッシベーション構造導入の効果検討
检查在 CIGS 太阳能电池中引入钝化结构的影响
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：松田隼;秋山亨;畠山哲夫;白石賢二;中山隆史;Shigenori Ueda;上川 由紀子
- 通讯作者：上川 由紀子
Study of Al2O3/CIGS interfaces in CIGS solar cells
CIGS太阳能电池中Al2O3/CIGS界面的研究
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：秋山亨;河村貴宏;伊藤智徳;上川 由紀子
- 通讯作者：上川 由紀子
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Synchrotron radiation photoelectron spectroscopy study on oxides formed at Ge(100)2×1 surface in atmosphere
大气中Ge(100)2×1表面氧化物的同步辐射光电子能谱研究
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10.35848/1347-4065/ab8f0b - 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
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A. Yoshigoe
液相析出法によるTiO2微粒子の形成と光触媒活性度の評価
液相沉淀法TiO2细颗粒的形成及光催化活性评价
- DOI：
- 发表时间：
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- 影响因子：0
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Si-Doped Cu(In,Ga)Se2 Photovoltaic Devices with Energy Conversion Efficiencies Exceeding 16.5% without a Buffer Layer
Si-Doped%20Cu(In,Ga)Se2%20光伏%20Devices%20with%20Energy%20Conversion%20Efficiency%20Exceeding%2016.5%%20without%20a%20Buffer%20Layer
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10.1002/aenm.201702391 - 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：27.8
- 作者：
Ishizuka Shogo;Nishinaga Jiro;Iioka Masayuki;Higuchi Hirofumi;Kamikawa Yukiko;Koida Takashi;Shibata Hajime;Fons Paul - 通讯作者：
Fons Paul
HREELSによるPd70Au30(110)表面におけるブテンのH-D交換メカニズムの解明
HREELS阐明Pd70Au30(110)表面丁烯的H-D交换机制
- DOI：
- 发表时间：
2016 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Ishizuka Shogo;Nishinaga Jiro;Iioka Masayuki;Higuchi Hirofumi;Kamikawa Yukiko;Koida Takashi;Shibata Hajime;Fons Paul;小倉正平，大野哲，向井孝三，吉信淳，岡田美智雄，福谷克之 - 通讯作者：
小倉正平，大野哲，向井孝三，吉信淳，岡田美智雄，福谷克之
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- DOI：
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相似海外基金
非晶質半導体の界面準位と界面再結合速度の光学的研究
非晶半导体界面态和界面复合率的光学研究
- 批准号：
08750025 - 财政年份：1996
- 资助金额：
$ 2.83万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)