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高密度ラジカル酸化による極薄酸化膜の創成

高密度ラジカル酸化による極薄酸化膜の創成
通过高密度自由基氧化形成超薄氧化膜
批准号：
24K07561
负责人：
和泉 亮
金额：
$2.91万
依托单位：
Kyushu Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2024
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2024-04-01 至 2027-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-24K07561/
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界面制御層を導入した高品質ゲート絶縁膜の低温形成
  • 批准号：
    14750008
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 资助金额：
    $2.56万
  • 财政年份：
    2002
  • 负责人：
    和泉 亮
  • 依托单位：
    Kyushu Institute of Technology
活性ラジカルを用いたミリコン集積回路用ゲート絶縁膜の低温形成