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活性ラジカルを用いたミリコン集積回路用ゲート絶縁膜の低温形成

利用活性自由基低温形成微型集成电路栅极绝缘膜

基本信息

批准号：
11750010
负责人：
和泉亮
金额：
$ 1.41万
依托单位：
Japan Advanced Institute of Science and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
2000
资助国家：
日本
起止时间：
2000 至 2001
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-11750010/
关键词：
SiO_2 ゲート絶縁膜低温酸化低温窒化ラジカル Cat-CVD

项目摘要

前年度に引き続き,H_2とHe希釈O_2ガスをタングステン触媒体線分解により生成した活性酸素ラジカルによるシリコン基板の直接酸化により形成した極薄SiO_2の電気的特性改善の検討を行なった.その結果,アルゴン雰囲気中で800℃,1分間の急速熱処理を行なうことで,電気的特性が高温熱酸化により形成したSiO_2膜に匹敵することが明らかとなった.また,ボロンの突き抜け抑制に有効なSiO_2ゲート絶縁膜の表面窒化についても検討を行なった.Si(100)基板上に形成したドライ熱酸化膜(4nm)をCat-CVDチェンバー内に導入し,タングステン触媒体線から6cmの位置に設置した.約10^<-5>Paの背圧を得た後NH_3を導入し,タングステン触媒体線を1800℃に加熱した.試料ホルダーに取り付けられた熱電対計測によるSi基板温度は約150℃であった.窒化処理前後におけるSiO_2表面の光電子(XPS)測定の結果,窒化処理後の試料からのみN1s信号が出現し,そのピーク分離から,窒素原子は酸素およびシリコンと直接結合していることが明らかとなった.さらに,角度依存XPS測定から,最表面SiO_2に窒素濃度の高い層が形成されていることが明らかとなった.また,容量-電圧測定から,本処理により注入型のヒステリシスを大幅に低減できることができ,さらに,エッチング処理時間が増えるに従い,比誘電率も増加していくことが明らかとなり,本手法は低温窒化処理が可能でかつプラズマ衝撃を伴わない点からSi集積回路プロセスに有効であることを明らかにした.

In the previous year, Hg2 He intended to improve the characteristics of thin SiO_2 batteries due to the generation of reactive acids by linear decomposition of the catalyst. The results show that the temperature is 800 ℃, the temperature is 1 minute, the temperature is 800 ℃, the temperature is 800 ℃, the temperature is 1 minute, the temperature is 800 ℃, the temperature is 1 minute, and the characteristic of the battery is high temperature acidification. In this paper, the effect of the temperature on the surface of the SiO_2 film is studied. The formation of the acidified film (4nm) on the Si (100) substrate is caused by the formation of an acidified film (4nm). The position of the catalyst line 6cm is set. About 10 ^ & lt;-5>Pa has obtained the addition of NH3 to the catalyst line at 1800 ℃. The temperature of the Si substrate is about 150 ℃. Before and after asphyxiation treatment, the results of surface photoluminescence electron microscopy (XPS) of Sio _ 2 were tested. After asphyxiation treatment, the N1s signal was detected, the temperature was separated, and the asphyxiant atomic acid acid was directly combined with the temperature spectrum. The angle is dependent on the XPS measurement, and the surface SiO_2 asphyxiant has a high temperature. The power supply, capacity-electricity measurement system, this system is designed to operate at a high temperature in a wide range of temperature, temperature and temperature. This technique "hypothermia suffocation" may cause severe hypothermia. This technique may be used in the treatment of hypothermia and asphyxiation.