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耐熱性とプロセス温度の低温化を両立したSiCセラミックスのTLP接合技術の開発

耐熱性とプロセス温度の低温化を両立したSiCセラミックスのTLP接合技術の開発
开发兼具耐热性和低加工温度的SiC陶瓷TLP接合技术
批准号:
24K08069
负责人:
尾崎 友厚
金额:
$2.91万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2024
资助国家:
日本
项目状态:
未结题
起止时间:
2024-04-01 至 2028-03-31
关键词:

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项目成果

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Development of Diffusion-Bonding Technique for SiC CMC using the principle of TLP-Bonding
Bi系機能性材料の創製と機能開拓
  • 批准号:
    10J08213
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额:
    $1.34万
  • 财政年份:
    2010
  • 负责人:
    尾崎 友厚
  • 依托单位: