新奇電子デバイス向けκ-(InxGa1-x)2O3混晶の欠陥及び相分離・組成揺らぎの評価と制御
新奇電子デバイス向けκ-(InxGa1-x)2O3混晶の欠陥及び相分離・組成揺らぎの評価と制御
用于新型电子器件的 κ-(InxGa1-x)2O3 混合晶体中的缺陷、相分离和成分波动的评估和控制
批准号：
24K08272
负责人：
上田 修
金额：
$3.0万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2024
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2024-04-01 至 2027-03-31
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会议论文
Characterization and control of defects in low-temperature-grown Bi-based compound semiconductors for novel terahertz wave emitters and detectors
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批准号：21K04910
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.75万
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财政年份：2021
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负责人：上田 修
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依托单位：
質量分析での特異ピーク検出によるカルバペネマーゼ産生菌の網羅的検出と蔓延防止対策
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批准号：20K18904
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项目类别：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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资助金额：$2.66万
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财政年份：2020
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负责人：上田 修
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依托单位：
高度経済成長期における協調的労使関係形成に関する実証的研究
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批准号：05801026
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额：$0.77万
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财政年份：1993
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负责人：上田 修
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依托单位：
三菱重工における労使関係の再編
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批准号：59730022
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.45万
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财政年份：1984
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负责人：上田 修
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依托单位：