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欠陥導入と仕事関数制御による溶液法IGZOオゾンセンサーおよびダイオードの作製

欠陥導入と仕事関数制御による溶液法IGZOオゾンセンサーおよびダイオードの作製
通过缺陷引入和功函数控制溶液法IGZO臭氧传感器和二极管的制作
批准号：
24K08576
负责人：
森本 貴明
金额：
$2.83万
依托单位：
防衛大学校(総合教育学群、人文社会科学群、応用科学群、電気情報学群及びシステム工学群)
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2024
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2024-04-01 至 2029-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-24K08576/
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低温製膜されたIGZO薄膜の酸素欠陥制御によるフレキシブル機能デバイスの開発
次世代半導体ゲート絶縁膜用の高誘電率材料における欠陥構造と絶縁破壊機構の解明
  • 批准号：
    13J03090
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.41万
  • 财政年份：
    2013
  • 负责人：
    森本 貴明
  • 依托单位：
    Waseda University