权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

低温製膜されたIGZO薄膜の酸素欠陥制御によるフレキシブル機能デバイスの開発

通过控制低温沉积的IGZO薄膜中的氧缺陷开发柔性功能器件

基本信息

批准号：
20K15371
负责人：
森本貴明
金额：
$ 2.66万
依托单位：
防衛大学校(総合教育学群、人文社会科学群、応用科学群、電気情報学群及びシステム工学群)
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2020
资助国家：
日本
起止时间：
2020-04-01 至 2024-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

酸化物半導体IGZOは、高移動度、低リーク電流な薄膜トランジスタ(TFT)の材料として近年実用化された。我々は、このIGZOを溶液化し塗布することで、低コスト、簡単なプロセスでTFTを作製する手法を確立した。この過程で、本IGZO膜により(1)オゾンガスセンサー、(2)ショットキーバリアダイオードも構成できることが分かった。そこで、溶液法により多様な素子を作製する技術の確立を目指すべく、研究を行っている。(1) IGZOオゾンセンサー：In: Ga: Zn = 6: 1: 3 の比率に調製したIGZO前駆体溶液を塗布し、300～340℃で焼成して作製したIGZO-TFT TFTは、濃度5ppmのオゾンに暴露するとオン電流が1000分の1以下に減少し、オゾンを検出可能であることが昨年度までに分かった。今年度は、オゾンにより減少したオン電流が、バンドギャップエネルギーよりやや小さい可視光の照射により回復することを見出した。これは、一度オゾンに反応したIGZO-TFTを照射が容易な可視光により初期状態に戻せることを示す知見であり、センサーを繰り返す使用するために有用である。(2)ショットキーバリアダイオード：昨年度までに、(1)と同様の方法で製膜したIGZO膜に、Al電極とAu電極を蒸着し、IGZO-Au間でショットキー接触を形成した結果、整流特性が見られることを明らかにしていたが、TFT構造であるために動作にゲートバイアス電圧が必要である課題があった。この解決のために、Au-IGZO-Alの順に積層した構造を作製したが、整流特性が見られなかった。原因解析の結果、IGZO塗布後の焼成の熱によりショットキー接触が消滅した可能性が示されたため、IGZO焼成後に取り付ける電極をAlからAuに変更し、その電極とIGZO間に新たにショットキー接触を形成したところ、整流特性が確認できた。

In recent years, thin film transistors (TFT) with high mobility and low current have been used as materials. I want to establish a method for manufacturing IGZO solutions. The process of this IGZO film is as follows: (1) The film is divided into two parts: (2) The film is divided into two parts: (3) The film is divided into two parts: (4) The film is divided into three parts: (5) The film is divided into two parts: (6) The film is divided into three parts: (7) The film is divided into three parts: (8) The film is divided into three parts: (1) The film is divided into four parts: (2) The film is divided into four parts: (1) The film is divided into four parts: (8) The film is divided into four parts: (9) The film is divided into four parts: (1) The film is divided into four parts: (9) The film is divided into four parts: (1) The film is divided into four parts: (9) The film is divided into four parts: (1) The film is divided into four parts: (9) The film is divided into four parts: (9) The film is divided The solution method is used to establish the technology of multi-element production, and the research is carried out. (1)IGZO precursor solution is prepared by coating with In: Ga: Zn = 6: 1: 3 and firing at 300~340℃. IGZO-TFT TFT is prepared by coating with In: Ga: Zn = 6:1:3 and firing at 5ppm. This year, the current is reduced, and the light is restored. IGZO-TFT is easy to illuminate with visible light, easy to see and easy to use. (2)In the past year,(1) the same method was used to form IGZO film, Al electrode and Au electrode were evaporated, IGZO-Au contact was formed, and the rectification characteristics were found to be necessary. With this solution, the Au-IGZO-Al laminated structure was fabricated and the rectifying characteristics were improved. Cause analysis results, IGZO after firing heat, contact and elimination of possibility, IGZO after firing to take the electrode, Al, Au, change, all electrodes IGZO new contact formation, rectification characteristics confirmed

项目成果

期刊论文数量（5）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

溶液法IGZO,IZO とAu 電極の間でのショットキー接触の形成

使用溶液法在 IGZO、IZO 和 Au 电极之间形成肖特基接触

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Shunsuke Shiba;Shoei Hirabayashi;Osamu Niwa;Dai Kato;Masashi Kunitake;Masanobu Matsuguchi;森本貴明，山川泰史，石井啓介
通讯作者：
森本貴明，山川泰史，石井啓介

溶液法IGZO-TFTのドレイン電流にオゾンガスが与える影響

臭氧气体对溶液法IGZO-TFT漏极电流的影响