Two-terminal resistance change memory based on interface dipole modulation
Two-terminal resistance change memory based on interface dipole modulation
基于界面偶极子调制的两端阻变存储器
批准号：
19H02178
负责人：
Miyata Noriyuki
金额：
$11.07万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
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Electrically induced change in HfO2/1-monolayer TiO2/SiO2 metal-oxide-semiconductor stacks: capacitance-voltage and hard X-ray photoelectron spectroscopy studies
HfO2/1-单层 TiO2/SiO2 金属氧化物半导体堆栈中的电致变化：电容电压和硬 X 射线光电子能谱研究
HfO2/1-单层 TiO2/SiO2 金属氧化物半导体堆栈中的电致变化：电容电压和硬 X 射线光电子能谱研究
DOI：
10.35848/1882-0786/ac0b08
发表时间：
2021
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
[Noriyuki Miyata, Kyoko Sumita, Akira Yasui, Ryousuke Sano, Reito Wada, and Hiroshi Nohira]
通讯作者：
and Hiroshi Nohira
HAXPESによる界面ダイポール変調機構の解明
使用 HAXPES 阐明界面偶极子调制机制
使用 HAXPES 阐明界面偶极子调制机制
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[桐原芳治, 和田励虎, 辻口良太, 保井晃, 宮田典, 野平博司]
通讯作者：
野平博司
バイアス印加硬X線光電子分光法によるHfO2/SiO2界面ダイポール変調の検出
偏置硬X射线光电子能谱检测HfO2/SiO2界面偶极子调制
偏置硬X射线光电子能谱检测HfO2/SiO2界面偶极子调制
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[野平 博司, 和田 励虎, 保井 晃, 宮田 典幸]
通讯作者：
宮田 典幸
HfO2/TiO2/SiO2構造の電圧印加によるTiの化学結合状態変化の観測
HfO2/TiO2/SiO2 结构中施加电压导致 Ti 化学键状态变化的观察
HfO2/TiO2/SiO2 结构中施加电压导致 Ti 化学键状态变化的观察
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[桐原芳治, 辻口 良太, 伊藤俊一, 保井晃, 宮田典幸, 野平博司]
通讯作者：
野平博司
STDP-like pulse response characteristics of interface dipole modulation FETs
接口偶极子调制 FET 的类 STDP 脉冲响应特性
接口偶极子调制 FET 的类 STDP 脉冲响应特性
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Noriyuki Miyata, Kyoko Sumita, Akira Yasui, Reito Wada, and Hiroshi Nohira, Noriyuki Miyata]
通讯作者：
Noriyuki Miyata
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