Two-terminal resistance change memory based on interface dipole modulation

基于界面偶极子调制的两端阻变存储器

基本信息

批准号：
19H02178
负责人：
Miyata Noriyuki
金额：
$ 11.07万
依托单位：
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（11）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Electrically induced change in HfO2/1-monolayer TiO2/SiO2 metal-oxide-semiconductor stacks: capacitance-voltage and hard X-ray photoelectron spectroscopy studies

HfO2/1-单层 TiO2/SiO2 金属氧化物半导体堆栈中的电致变化：电容电压和硬 X 射线光电子能谱研究

DOI：
10.35848/1882-0786/ac0b08
发表时间：
2021
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
Noriyuki Miyata;Kyoko Sumita;Akira Yasui;Ryousuke Sano;Reito Wada;and Hiroshi Nohira
通讯作者：
and Hiroshi Nohira

HAXPESによる界面ダイポール変調機構の解明

使用 HAXPES 阐明界面偶极子调制机制

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
桐原芳治;和田励虎;辻口良太;保井晃;宮田典;野平博司
通讯作者：
野平博司

バイアス印加硬X線光電子分光法によるHfO2/SiO2界面ダイポール変調の検出

偏置硬X射线光电子能谱检测HfO2/SiO2界面偶极子调制

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
野平博司;和田励虎;保井晃;宮田典幸
通讯作者：
宮田典幸

STDP-like pulse response characteristics of interface dipole modulation FETs

接口偶极子调制 FET 的类 STDP 脉冲响应特性

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Noriyuki Miyata;Kyoko Sumita;Akira Yasui;Reito Wada;and Hiroshi Nohira;Noriyuki Miyata
通讯作者：
Noriyuki Miyata

HfO2/TiO2/SiO2構造の電圧印加によるTiの化学結合状態変化の観測

HfO2/TiO2/SiO2 结构中施加电压导致 Ti 化学键状态变化的观察

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
桐原芳治;辻口良太;伊藤俊一;保井晃;宮田典幸;野平博司
通讯作者：
野平博司

DOI：
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作者：
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Miyata Noriyuki其他文献

BEDT-BDTの新しいセレン類縁体の合成と有機伝導体への応用

BEDT-BDT新型硒类似物的合成及其在有机导体中的应用

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Saito Yuta;Mitrofanov Kirill V;Makino Kotaro;Miyata Noriyuki;Fons Paul;Kolobov Alexander V.;Tominaga Junji;宍戸雅治，角屋智史，杉浦栞理，田原圭志朗，東野寿樹，久保和也，佐々木孝彦，瀧宮和男，山田順一
通讯作者：
宍戸雅治，角屋智史，杉浦栞理，田原圭志朗，東野寿樹，久保和也，佐々木孝彦，瀧宮和男，山田順一

Proposal of Low-Loss Non-Volatile Mid-Infrared Optical Phase Shifter Based on Ge2Sb2Te3S2

基于Ge2Sb2Te3S2</的低损耗非易失性中红外光学移相器的提出

DOI：
10.1109/ted.2023.3235865
发表时间：
2023
期刊：
IEEE Transactions on Electron Devices
影响因子：
3.1
作者：
Miyatake Yuto;Makino Kotaro;Tominaga Junji;Miyata Noriyuki;Nakano Takashi;Okano Makoto;Toprasertpong Kasidit;Takagi Shinichi;Takenaka Mitsuru
通讯作者：
Takenaka Mitsuru

Interface Dipole Modulation in HfO<inf>2</inf>/SiO<inf>2</inf> MOS Stack Structures

HfO<inf>2</inf>/SiO<inf>2</inf> MOS 堆栈结构中的界面偶极子调制

DOI：
10.1109/iedm.2018.8614674
发表时间：
2018
期刊：
2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
影响因子：
0
作者：
Miyata Noriyuki;Nara Jun;Yamasaki Takahiro;Sumita Kyoko;Sano Ryousuke;Nohira Hiroshi
通讯作者：
Nohira Hiroshi

Non-volatile compact optical phase shifter based on Ge2Sb2Te5 operating at 2.3 μm

基于 Ge2Sb2Te5 工作波长为 2.3 μm 的非易失性紧凑型光学移相器

DOI：
10.1364/ome.473987
发表时间：
2022
期刊：
Optical Materials Express
影响因子：
2.8
作者：
Miyatake Yuto;Ho Chong Pei;Pitchappa Prakash;Singh Ranjan;Makino Kotaro;Tominaga Junji;Miyata Noriyuki;Nakano Takashi;Toprasertpong Kasidit;Takagi Shinichi;Takenaka Mitsuru
通讯作者：
Takenaka Mitsuru

(Invited) Sputter Growth of Chalcogenide Superlattice Films for Future Phase Change Memory Applications

（特邀）面向未来相变存储器应用的硫族化物超晶格薄膜的溅射生长

DOI：
10.1149/08603.0049ecst
发表时间：
2018
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
0
作者：
Saito Yuta;Mitrofanov Kirill V;Makino Kotaro;Miyata Noriyuki;Fons Paul;Kolobov Alexander V.;Tominaga Junji
通讯作者：
Tominaga Junji