Study on ultrashort pulsed semiconductor laser diodes for fluorescent bio-imaging
Study on ultrashort pulsed semiconductor laser diodes for fluorescent bio-imaging
用于荧光生物成像的超短脉冲半导体激光二极管的研究
批准号：
19H02176
负责人：
Miyajima Takao
金额：
$11.07万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2023-03-31
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分光エリプソメトリーを用いたAl1-xInxN混晶の光学特性解析における誘電関数モデルの検討
椭圆偏振光谱法分析Al1-xInxN混晶光学性质的介电函数模型研究
椭圆偏振光谱法分析Al1-xInxN混晶光学性质的介电函数模型研究
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[豊田隼大，村上裕人，宮田梨乃，今井大地，宮嶋孝夫, 三好実人，竹内哲也]
通讯作者：
三好実人，竹内哲也
分子線エピタキシー法により成長したGaAs系半導体レーザの室温パルス発振
分子束外延生长GaAs半导体激光器的室温脉冲振荡
分子束外延生长GaAs半导体激光器的室温脉冲振荡
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
名城大学総合研究所 紀要
影响因子：
--
作者：
[宮嶋孝夫, 荒川亮太, 石川裕介, 神林大介, 森田悠斗, 森本晃平, 宇野光輝, 下原光貴, 今井大地, 成塚重弥]
通讯作者：
成塚重弥
Near-bandgap optical properties of Al1－xInxN thin films grown on a c-plane freestanding GaN substrate
c面独立GaN衬底上生长的Al1－xInxN薄膜的近带隙光学特性
c面独立GaN衬底上生长的Al1－xInxN薄膜的近带隙光学特性
DOI：
10.35848/1347-4065/ac148a
发表时间：
2022
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Hayata Toyoda, Yuto Murakami, Rino Miyata, Daichi Imai, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, and Takao Miyajima]
通讯作者：
and Takao Miyajima
Analysis of the optical constants and bandgap energy in Al1-xInxN alloys grown on a c-plane freestanding GaN substrate by using spectroscopic ellipsometry
使用光谱椭圆光度法分析 c 面独立式 GaN 衬底上生长的 Al1-xInxN 合金的光学常数和带隙能量
使用光谱椭圆光度法分析 c 面独立式 GaN 衬底上生长的 Al1-xInxN 合金的光学常数和带隙能量
DOI：
10.35848/1347-4065/abc29f
发表时间：
2020
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Daichi Imai, Yuto Murakami, Rino Miyata, Hayata Toyoda, Tomoaki Yamaji, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi and Takao Miyajima]
通讯作者：
Tetsuya Takeuchi and Takao Miyajima
利得スイッチ駆動させた青紫色 GaN 系半導体レーザからの短パルス光の偏光多重とピークパワーの増強
增益开关驱动的蓝紫 GaN 半导体激光器短脉冲光的偏振复用和峰值功率增强
增益开关驱动的蓝紫 GaN 半导体激光器短脉冲光的偏振复用和峰值功率增强
DOI：
--
发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
--
作者：
[間渕勇多, 太田翔也, 鈴木晴道, 今井大地, 宮嶋孝夫]
通讯作者：
宮嶋孝夫
共 6 条