Study on ultrashort pulsed semiconductor laser diodes for fluorescent bio-imaging

用于荧光生物成像的超短脉冲半导体激光二极管的研究

• 批准号: 19H02176
• 负责人: Miyajima Takao
• 金额: $ 11.07万
• 依托单位: Meijo University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2019
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2019-04-01 至 2023-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19H02176/
• 关键词: 超短パルス; GaAs系半導体; 無反射コート; バイセクション構造; 半導体レーザ; 斜め導波路; 半導体増幅器; モードロック; SCOWA; コンタクト比抵抗; ビーム品質; 分光エリプソメトリー法; 相関測定; ガリウムヒ素系半導体

项目成果

分光エリプソメトリーを用いたAl1-xInxN混晶の光学特性解析における誘電関数モデルの検討

椭圆偏振光谱法分析Al1-xInxN混晶光学性质的介电函数模型研究

• 发表时间: 2021
• 作者: 豊田隼大，村上裕人，宮田梨乃，今井大地，宮嶋孝夫;三好実人，竹内哲也
• 通讯作者: 三好実人，竹内哲也

分子線エピタキシー法により成長したGaAs系半導体レーザの室温パルス発振

分子束外延生长GaAs半导体激光器的室温脉冲振荡

• 发表时间: 2020
• 期刊: 名城大学総合研究所 紀要
• 作者: 宮嶋孝夫;荒川亮太;石川裕介;神林大介;森田悠斗;森本晃平;宇野光輝;下原光貴;今井大地;成塚重弥
• 通讯作者: 成塚重弥

Near-bandgap optical properties of Al1－xInxN thin films grown on a c-plane freestanding GaN substrate

c面独立GaN衬底上生长的Al1－xInxN薄膜的近带隙光学特性

• DOI: 10.35848/1347-4065/ac148a
• 发表时间: 2022
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: Hayata Toyoda;Yuto Murakami;Rino Miyata;Daichi Imai;Makoto Miyoshi;Tetsuya Takeuchi;and Takao Miyajima
• 通讯作者: and Takao Miyajima

Analysis of the optical constants and bandgap energy in Al1-xInxN alloys grown on a c-plane freestanding GaN substrate by using spectroscopic ellipsometry

使用光谱椭圆光度法分析 c 面独立式 GaN 衬底上生长的 Al1-xInxN 合金的光学常数和带隙能量

• DOI: 10.35848/1347-4065/abc29f
• 发表时间: 2020
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: Daichi Imai;Yuto Murakami;Rino Miyata;Hayata Toyoda;Tomoaki Yamaji;Makoto Miyoshi;Tetsuya Takeuchi and Takao Miyajima
• 通讯作者: Tetsuya Takeuchi and Takao Miyajima

利得スイッチ駆動させた青紫色 GaN 系半導体レーザからの短パルス光の偏光多重とピークパワーの増強

增益开关驱动的蓝紫 GaN 半导体激光器短脉冲光的偏振复用和峰值功率增强

• 发表时间: 2023
• 作者: 間渕勇多;太田翔也;鈴木晴道;今井大地;宮嶋孝夫
• 通讯作者: 宮嶋孝夫