TEM operand and first principles analysis of mechanisms of time-dependent oxide memristor properties
TEM operand and first principles analysis of mechanisms of time-dependent oxide memristor properties
氧化物忆阻器特性随时间变化的 TEM 操作数和第一性原理分析
批准号：
19K04468
负责人：
Tohei Tetsuya
金额：
$2.83万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
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平面型TiO2-xメモリスタ素子における抵抗変化領域のその場TEM観察
平面 TiO2-x 忆阻器元件电阻变化区域的原位 TEM 观察
平面 TiO2-x 忆阻器元件电阻变化区域的原位 TEM 观察
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[谷口奈穂, 藤平哲也, 林侑介, 酒井朗]
通讯作者：
酒井朗
４端子TiO2-x薄膜メモリスタ素子によるシナプス特性の実装
使用 4 端 TiO2-x 薄膜忆阻器元件实现突触特性
使用 4 端 TiO2-x 薄膜忆阻器元件实现突触特性
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[三宅亮太郎，林侑介, 藤平哲也，酒井朗]
通讯作者：
藤平哲也，酒井朗
DOI：
10.1021/acsaelm.2c00161
发表时间：
2022-05-24
期刊：
ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS
影响因子：
4.7
作者：
[Miyake, Ryotaro, Nagata, Zenya, Sakai, Akira]
通讯作者：
Sakai, Akira
4端子平面型TiO2-x メモリスタ素子における酸素空孔分布2次元制御に基づくSTP・LTP特性の実装
基于四端平面 TiO2-x 忆阻器元件中氧空位分布的二维控制实现 STP/LTP 特性
基于四端平面 TiO2-x 忆阻器元件中氧空位分布的二维控制实现 STP/LTP 特性
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[安達健太, 酒井朗, 藤平哲也, 林侑介, 三宅亮太郎]
通讯作者：
三宅亮太郎
Researchgate Tohei's personal page
研究门东平的个人页面
研究门东平的个人页面
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
共 29 条