TEM operand and first principles analysis of mechanisms of time-dependent oxide memristor properties

氧化物忆阻器特性随时间变化的 TEM 操作数和第一性原理分析

• 批准号: 19K04468
• 负责人: Tohei Tetsuya
• 金额: $ 2.83万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2019
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2019-04-01 至 2022-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19K04468/
• 关键词: 酸化物メモリスタ; 透過型電子顕微鏡その場観察; 酸化チタン; 第一原理計算; 抵抗変化現象; 人工シナプス; 酸化物半導体; 透過型電子顕微鏡; 電子顕微鏡その場観察; ルチル型TiO2; 点欠陥; 酸化物; TEMその場観察

项目成果

平面型TiO2-xメモリスタ素子における抵抗変化領域のその場TEM観察

平面 TiO2-x 忆阻器元件电阻变化区域的原位 TEM 观察

• 发表时间: 2022
• 作者: 谷口奈穂;藤平哲也;林侑介;酒井朗
• 通讯作者: 酒井朗

４端子TiO2-x薄膜メモリスタ素子によるシナプス特性の実装

使用 4 端 TiO2-x 薄膜忆阻器元件实现突触特性

• 发表时间: 2019
• 作者: 三宅亮太郎，林侑介;藤平哲也，酒井朗
• 通讯作者: 藤平哲也，酒井朗

Versatile Functionality of Four-Terminal TiO2-x Memristive Devices as Artificial Synapses for Neuromorphic Computing

• DOI: 10.1021/acsaelm.2c00161
• 发表时间: 2022-05-24
• 期刊: ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS
• 影响因子: 4.7
• 作者: Miyake, Ryotaro;Nagata, Zenya;Sakai, Akira
• 通讯作者: Sakai, Akira

4端子平面型TiO2-x メモリスタ素子における酸素空孔分布2次元制御に基づくSTP・LTP特性の実装

基于四端平面 TiO2-x 忆阻器元件中氧空位分布的二维控制实现 STP/LTP 特性

• 发表时间: 2020
• 作者: 安達健太;酒井朗;藤平哲也;林侑介;三宅亮太郎
• 通讯作者: 三宅亮太郎

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