A study on scattering mechanisms of inversion layer mobility in SiC MOSFETs

SiC MOSFET反型层迁移率散射机制研究

• 批准号: 19K04494
• 负责人: Hatakeyama Tetsuo
• 金额: $ 2.75万
• 依托单位: Toyama Prefectural University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2019
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2019-04-01 至 2022-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19K04494/
• 关键词: 電子デバイス; 界面テクノロジー; パワーデバイス; MOSFET; 移動度; シリコンカーバイド; 散乱機構; 電気双極子; 双極子; 散乱; 二次元電子ガス; 界面; 遮蔽; SiC; MOS界面; 界面準位; 散乱要因; クーロン散乱; 界面ラフネス散乱; 界面電界強度

项目成果

IB-10 4H-SiC非極性面上のMOS界面散乱に対する酸化プロセスの影響

IB-10 氧化工艺对4H-SiC非极性表面MOS界面散射的影响

• 发表时间: 2021
• 作者: 染谷 満;平井 悠久;岡本 光央; 畠山 哲夫;原田 信介
• 通讯作者: 原田 信介

SiC MOS反転層移動度の劣化要因に関する理論的考察

SiC MOS反型层迁移率劣化因素的理论思考

• 发表时间: 2021
• 作者: 畠山 哲夫;平井 悠久;染谷 満 岡本 大;岡本 光央;原田 信介
• 通讯作者: 原田 信介

IIB-9 SiC van der PauwおよびHall bar素子の最適設計

IIB-9 SiC van der Pauw 和霍尔杆元件的优化设计

• 发表时间: 2021
• 作者: 守山 遼;岡本 大;畠山 哲夫
• 通讯作者: 畠山 哲夫

C03 TCAD によるギリシア十字架型ホール効果測定素子設計の検討

C03 使用TCAD研究希腊十字形霍尔效应测量元件设计

• 发表时间: 2021
• 作者: 中村 宙夢;守山 遼;岡本 大;畠山 哲夫
• 通讯作者: 畠山 哲夫

Dipole scattering at the interface: The origin of low mobility observed in SiC MOSFETs

界面处的偶极子散射：SiC MOSFET 中观察到的低迁移率的根源

• DOI: 10.1063/5.0086172
• 发表时间: 2022
• 期刊: Journal of Applied Physics
• 影响因子: 3.2
• 作者: Hatakeyama Tetsuo;Hirai Hirohisa;Sometani Mitsuru;Okamoto Dai;Okamoto Mitsuo;Harada Shinsuke
• 通讯作者: Harada Shinsuke