A study on scattering mechanisms of inversion layer mobility in SiC MOSFETs
A study on scattering mechanisms of inversion layer mobility in SiC MOSFETs
SiC MOSFET反型层迁移率散射机制研究
批准号：
19K04494
负责人：
Hatakeyama Tetsuo
金额：
$2.75万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
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IB-10 4H-SiC非極性面上のMOS界面散乱に対する酸化プロセスの影響
IB-10 氧化工艺对4H-SiC非极性表面MOS界面散射的影响
IB-10 氧化工艺对4H-SiC非极性表面MOS界面散射的影响
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[染谷 満, 平井 悠久, 岡本 光央, 畠山 哲夫, 原田 信介]
通讯作者：
原田 信介
SiC MOS反転層移動度の劣化要因に関する理論的考察
SiC MOS反型层迁移率劣化因素的理论思考
SiC MOS反型层迁移率劣化因素的理论思考
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[畠山 哲夫, 平井 悠久, 染谷 満 岡本 大, 岡本 光央, 原田 信介]
通讯作者：
原田 信介
IIB-9 SiC van der PauwおよびHall bar素子の最適設計
IIB-9 SiC van der Pauw 和霍尔杆元件的优化设计
IIB-9 SiC van der Pauw 和霍尔杆元件的优化设计
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[守山 遼, 岡本 大, 畠山 哲夫]
通讯作者：
畠山 哲夫
C03 TCAD によるギリシア十字架型ホール効果測定素子設計の検討
C03 使用TCAD研究希腊十字形霍尔效应测量元件设计
C03 使用TCAD研究希腊十字形霍尔效应测量元件设计
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[中村 宙夢, 守山 遼, 岡本 大, 畠山 哲夫]
通讯作者：
畠山 哲夫
Dipole scattering at the interface: The origin of low mobility observed in SiC MOSFETs
界面处的偶极子散射：SiC MOSFET 中观察到的低迁移率的根源
界面处的偶极子散射：SiC MOSFET 中观察到的低迁移率的根源
DOI：
10.1063/5.0086172
发表时间：
2022
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
[Hatakeyama Tetsuo, Hirai Hirohisa, Sometani Mitsuru, Okamoto Dai, Okamoto Mitsuo, Harada Shinsuke]
通讯作者：
Harada Shinsuke
共 14 条