Development of free-standing nitride substrates using graphene

使用石墨烯开发独立式氮化物基板

• 批准号: 19K05298
• 负责人: SASAKI TAKUO
• 金额: $ 2.83万
• 依托单位: National Institutes for Quantum Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2019
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2019-04-01 至 2022-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19K05298/
• 关键词: 放射光利用; X線回折; 窒化物半導体; MBE成長; 窒化物; グラフェン; 放射光; その場X線回折; 窒化ガリウム; 分子線エピタキシー; Ｘ線回折

项目成果

GaInN/GaN成長時の格子緩和過程に対するSiアンチサーファクタント効果

Si 抗表面活性剂对 GaInN/GaN 生长过程中晶格弛豫过程的影响

• 发表时间: 2020
• 作者: 横山 晴香;山口 智広;佐々木 拓生;大野 颯一朗;木口 賢紀;比留川 大輝;藤川 誠司;高橋 正光;尾沼 猛儀;本田 徹
• 通讯作者: 本田 徹

グラフェン/SiC基板上GaN成長におけるAlNバッファ層の影響

AlN缓冲层对石墨烯/SiC衬底上GaN生长的影响

• 发表时间: 2021
• 作者: 福家聖也;佐々木拓生;川合良知;日比野浩樹
• 通讯作者: 日比野浩樹

CVD法を用いたサファイア基板上h-BNの合成制御

蓝宝石衬底上CVD法合成h-BN的控制

• 发表时间: 2022
• 作者: 原田哲匡;八木龍斗;川合良知;佐々木拓生;日比野浩樹
• 通讯作者: 日比野浩樹

AlNバッファ層を用いたグラフェン/SiC基板上におけるGaN成長

使用 AlN 缓冲层在石墨烯/SiC 衬底上生长 GaN

• 发表时间: 2021
• 作者: 福家聖也;佐々木拓生;川合良知;日比野浩樹
• 通讯作者: 日比野浩樹

グラフェン上GaN成長へのAlNバッファ層の影響

AlN缓冲层对石墨烯上GaN生长的影响

• 发表时间: 2020
• 作者: 福家 聖也;佐々木 拓生;牧野 竜市;日比野浩樹
• 通讯作者: 日比野浩樹