Development of free-standing nitride substrates using graphene
Development of free-standing nitride substrates using graphene
使用石墨烯开发独立式氮化物基板
批准号：
19K05298
负责人：
SASAKI TAKUO
金额：
$2.83万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
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GaInN/GaN成長時の格子緩和過程に対するSiアンチサーファクタント効果
Si 抗表面活性剂对 GaInN/GaN 生长过程中晶格弛豫过程的影响
Si 抗表面活性剂对 GaInN/GaN 生长过程中晶格弛豫过程的影响
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[横山 晴香, 山口 智広, 佐々木 拓生, 大野 颯一朗, 木口 賢紀, 比留川 大輝, 藤川 誠司, 高橋 正光, 尾沼 猛儀, 本田 徹]
通讯作者：
本田 徹
グラフェン/SiC基板上GaN成長におけるAlNバッファ層の影響
AlN缓冲层对石墨烯/SiC衬底上GaN生长的影响
AlN缓冲层对石墨烯/SiC衬底上GaN生长的影响
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[福家聖也, 佐々木拓生, 川合良知, 日比野浩樹]
通讯作者：
日比野浩樹
CVD法を用いたサファイア基板上h-BNの合成制御
蓝宝石衬底上CVD法合成h-BN的控制
蓝宝石衬底上CVD法合成h-BN的控制
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[原田哲匡, 八木龍斗, 川合良知, 佐々木拓生, 日比野浩樹]
通讯作者：
日比野浩樹
AlNバッファ層を用いたグラフェン/SiC基板上におけるGaN成長
使用 AlN 缓冲层在石墨烯/SiC 衬底上生长 GaN
使用 AlN 缓冲层在石墨烯/SiC 衬底上生长 GaN
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[福家聖也, 佐々木拓生, 川合良知, 日比野浩樹]
通讯作者：
日比野浩樹
グラフェン上GaN成長へのAlNバッファ層の影響
AlN缓冲层对石墨烯上GaN生长的影响
AlN缓冲层对石墨烯上GaN生长的影响
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[福家 聖也, 佐々木 拓生, 牧野 竜市, 日比野浩樹]
通讯作者：
日比野浩樹
共 20 条
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