Conversion of circularly polarized light to highly polarized long spin-lived electrons by semiconductor quantum structure
Conversion of circularly polarized light to highly polarized long spin-lived electrons by semiconductor quantum structure
通过半导体量子结构将圆偏振光转换为高度偏振的长自旋寿命电子
批准号：
19K05313
负责人：
Takeuchi Atsushi
金额：
$2.75万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
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GaAs-Al0.3Ga0.7As量子井戸におけるスピン緩和時間の井戸幅依存性(Ⅱ)
GaAs-Al0.3Ga0.7As 量子阱中自旋弛豫时间的阱宽依赖性 (II)
GaAs-Al0.3Ga0.7As 量子阱中自旋弛豫时间的阱宽依赖性 (II)
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[松田侑己, 中村雄一, 大橋龍太郎, 菊池哲太, 藤沼広輝, 下村哲, 竹内淳]
通讯作者：
竹内淳
Suzhou Institute of Nanotech and Nanobio(中国)
苏州纳米技术与纳米生物研究所（中国）
苏州纳米技术与纳米生物研究所（中国）
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Picosecond spin relaxation in GaSb/AlSb multiple quantum wells with a 1.55-um energy band gap
能带隙为 1.55 微米的 GaSb/AlSb 多量子阱中的皮秒自旋弛豫
能带隙为 1.55 微米的 GaSb/AlSb 多量子阱中的皮秒自旋弛豫
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Yuichi Nakamura, Lianhe Li, Takuya Kamezaki, Kizuku Yamada, Edmund Linfield, Atsushi Tackeuchi]
通讯作者：
Atsushi Tackeuchi
University of Leeds(英国)
利兹大学（英国）
利兹大学（英国）
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Excitation power dependence of spin relaxation time in GaAs/AlGaAs/AlAs type-II tunneling bi-quantum wells
GaAs/AlGaAs/AlAs II 型隧道双量子阱中自旋弛豫时间的激发功率依赖性
GaAs/AlGaAs/AlAs II 型隧道双量子阱中自旋弛豫时间的激发功率依赖性
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[姜海松，Mahmoud Nasef, 藤本勘太郎, 浜本貴一, Shinji HAYASHI, 中村 雄一,松田 侑己,藤沼広輝,孫啓明,金子朔夜,中山航,竹内淳]
通讯作者：
中村 雄一,松田 侑己,藤沼広輝,孫啓明,金子朔夜,中山航,竹内淳
共 6 条
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