原子力発電所等高放射線環境下で動作可能な電子回路の開発
原子力発電所等高放射線環境下で動作可能な電子回路の開発
批准号:
19K05337
负责人:
高倉 健一郎
金额:
$2.83万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2019
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2019-04-01 至 2024-03-31
中文摘要
福島第一原子力発電所の事故以来、廃炉作業の推進が図られており、炉内に導入するロボットの開発が進んでいる。廃炉ロボット開発の課題として、ロボットを制御するために搭載される半導体部品の放射線による劣化及び破壊のために、作業中にロボットが活動停止に陥るため、改善策の検討がある。ロボット開発に利用される各種部品の放射線耐性を調査する中で、特にマイコンの放射線耐性が低く、マイコンの劣化、破壊がロボットの活動時間を律速していることが明らかになった。そこで、マイコンの放射線耐性を向上させるべく、損傷の詳細を調査することとした。調査した結果、マイコン本体の動作不良は起こっておらず、マイコンを駆動したり情報を読み込んだりするためのメモリが損傷を受け、マイコン起動ができなくなることが、原因であることを突き止めた。そこで、本年度は、各種メモリの放射線耐性を評価することとした。広くメモリとして利用されているUSBメモリ、SDカードなどフラッシュメモリの放射線照射試験を実施したところ、メモリ容量が小さく、集積度が低い方が高放射線量まで動作可能であることが分かった。また、損傷の様子を詳細に調査したところ、照射量が大きくなるにしたがって、記録情報が徐々に書き換わっていくことが確認できた。そして、OS軌道に関わる領域のデータが書き換わったところで、マイコン起動が不能に陥るものと推測された。このため、マイコンに対する放射線防護が現実的な改善策として提案できる事項であると考えられる。
英文摘要
福島第一原子力発電所の事故以来、廃炉作業の推進が図られており、炉内に導入するロボットの開発が進んでいる。廃炉ロボット開発の課題として、ロボットを制御するために搭載される半導体部品の放射線による劣化及び破壊のために、作業中にロボットが活動停止に陥るため、改善策の検討がある。ロボット開発に利用される各種部品の放射線耐性を調査する中で、特にマイコンの放射線耐性が低く、マイコンの劣化、破壊がロボットの活動時間を律速していることが明らかになった。そこで、マイコンの放射線耐性を向上させるべく、損傷の詳細を調査することとした。調査した結果、マイコン本体の動作不良は起こっておらず、マイコンを駆動したり情報を読み込んだりするためのメモリが損傷を受け、マイコン起動ができなくなることが、原因であることを突き止めた。そこで、本年度は、各種メモリの放射線耐性を評価することとした。広くメモリとして利用されているUSBメモリ、SDカードなどフラッシュメモリの放射線照射試験を実施したところ、メモリ容量が小さく、集積度が低い方が高放射線量まで動作可能であることが分かった。また、損傷の様子を詳細に調査したところ、照射量が大きくなるにしたがって、記録情報が徐々に書き換わっていくことが確認できた。そして、OS軌道に関わる領域のデータが書き換わったところで、マイコン起動が不能に陥るものと推測された。このため、マイコンに対する放射線防護が現実的な改善策として提案できる事項であると考えられる。
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Interuniversity Electronics Center(ベルギー)
校际电子中心(比利时)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Parasitic subthreshold drain current and low frequency noise in GaN/AlGaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility field-effect-transistors
GaN/AlGaN 金属氧化物半导体高电子迁移率场效应晶体管中的寄生亚阈值漏极电流和低频噪声
DOI:
10.1088/1361-6641/abce8c
发表时间:
2020
期刊:
Semiconductor Science and Technology
影响因子:
1.9
作者:
[Takakura K, Putcha V, Simoen E, Alian A R, Peralagu U, Waldron N, Parvais B, Collaert N]
通讯作者:
Collaert N
半導体素子の放射線耐性の評価
半导体器件耐辐射性能的评价
DOI:
--
发表时间:
2023
期刊:
影响因子:
--
作者:
[松本健佑, 米岡将士, 角田功, 高倉健一郎]
通讯作者:
高倉健一郎
放射線環境下における半導体素子の耐性評価
辐射环境下半导体器件电阻评估
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[吉田一真, 米岡将士, 高倉健一郎]
通讯作者:
高倉健一郎
酸化ガリウムへのドーピングによる透明電極膜の導電率向上
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批准号:17710068
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$2.24万
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财政年份:2005
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负责人:高倉 健一郎
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依托单位:
海外基金