単一アナログデバイスと局所的学習則を用いるリアルニューロモーフィックシステム
単一アナログデバイスと局所的学習則を用いるリアルニューロモーフィックシステム
批准号:
19K11876
负责人:
木村 睦
金额:
$2.75万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
2019
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2019-04-01 至 2024-03-31
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英文摘要
人工知能は、未来の社会の中心となる技術であるが、サイズと電力が問題である。ニューロモーフィックシステムは、脳の模倣で、コンパクト・低消費電力が期待できる。そこで我々は、超コンパクト・超低パワーのリアルニューロモーフィックシステムの研究を、アーキテクチャ・マテリアル・アルゴリズムの観点から進めている。本研究では、上記の新技術を導入した動作を、シミュレーション・実機で確認し、実用的かつ人間の脳と同様な超コンパクト・超低パワーの汎用人工知能の可能性を検討する。現在まで、シミュレーションで、アモルファス金属酸化物半導体のメモリスタ・強誘電体キャパシタのメムキャパシタをモデリングし、新規ニューロン・シナプス回路を設計し、ディープ・畳み込み・さらにスパイキングニューラルネットワークを構築し、デバイス・回路特性を意識する学習方法を考案し、Pythonの論理シミュレーション・HSPICEの回路シミュレーションを行い、連想記憶・画像認識の機能をMNIST・CIFAR-10の文字・画像のデータセットで評価した。アナログメモリスタとキャパシタを集積化する動的メムキャパシタでも正確な動作解析に成功した。これで、たとえばMNISTで97%という極めて高い認識成功率を達成した。いっぽう、実機では、3次元積層構造メモリスタ・PZT・BLTアナログメムキャパシタの作製に成功し、クロスポイントアレイなどを用いて動作確認に成功した。今後は、実機で、2022年度にシミュレーション・設計は完了していて、2023年度に納品されるLSIチップの機能評価を行う。ここでは、100万素子程度の集積化であり、動作確認・消費電力解析などを行う。最後に、大規模化では、大規模の1兆素子程度のニューロモーフィックシステムを想定し、超コンパクト・低パワーの人工知能の実現にむけての可能性も検討し、汎用人工知能としての動作を評価する。
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DOI:
10.1109/tnnls.2021.3106566
发表时间:
2021-09
期刊:
IEEE Transactions on Neural Networks and Learning Systems
影响因子:
10.4
作者:
[Mutsumi Kimura;Yuma Ishisaki;Yuta Miyabe;Homare Yoshida;Isato Ogawa;Tomoharu Yokoyama;Ken-Ichi Haga-Ken-Ichi-H]
通讯作者:
Mutsumi Kimura;Yuma Ishisaki;Yuta Miyabe;Homare Yoshida;Isato Ogawa;Tomoharu Yokoyama;Ken-Ichi Haga-Ken-Ichi-H
Analysis of Carrier Mobility in Amorphous Metal-Oxide Semiconductor Thin-Film Transistor using Hall Effect
利用霍尔效应分析非晶金属氧化物半导体薄膜晶体管的载流子迁移率
DOI:
10.1109/led.2020.2993268
发表时间:
2020
期刊:
IEEE Electron Device Letters
影响因子:
4.9
作者:
[Imanishi Kota, Matsuda Tokiyoshi, Kimura Mutsumi]
通讯作者:
Kimura Mutsumi
酸化物半導体によるAIコンピューティングの最前線
使用氧化物半导体的人工智能计算前沿
DOI:
--
发表时间:
2023
期刊:
影响因子:
--
作者:
[木村 睦, 宮戸 祐治, 新谷 道広, 藤井 茉美, 曲 勇作, 河西 秀典, 松田 時宜, 神谷 利夫]
通讯作者:
神谷 利夫
Spike-Timing-Dependent-Plasticity Characterization of Ga-Sn-O Thin Film Synaptic Device
Ga-Sn-O 薄膜突触器件的尖峰时间相关塑性表征
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Kenta Yachida, Tetsuya Katagiri, Norito Koma, Naoki Sahara, and Mutsumi Kimura]
通讯作者:
and Mutsumi Kimura
GTO-TFT deposited using Mist-CVD
使用 Mist-CVD 沉积的 GTO-TFT
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Mutsumi Kimura, Yuta Takishita, Ryugo Okamoto, and Tokiyoshi Matsuda]
通讯作者:
and Tokiyoshi Matsuda
共 112 条
薄膜フォトトランジスタと多結晶シリコン薄膜トランジスタによる人工網膜
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批准号:20656059
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额:$2.24万
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财政年份:2008
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负责人:木村 睦
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依托单位:
アレルゲンキャッチ材料および機能評価方法の開発
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批准号:19655079
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.18万
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财政年份:2007
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负责人:木村 睦
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依托单位:
液晶性超分子ホストを用いたフラーレン・カーボンナノチューブの自己組織化
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批准号:15750154
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额:$2.18万
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财政年份:2003
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负责人:木村 睦
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依托单位: