Novel development of inter-subband transition optical devices using II-VI compound semiconductors on InP substrates
Novel development of inter-subband transition optical devices using II-VI compound semiconductors on InP substrates
在 InP 衬底上使用 II-VI 化合物半导体开发子带间跃迁光学器件
批准号：
18K04243
负责人：
NOMURA ICHIROU
金额：
$2.83万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2018-04-01 至 2021-03-31
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InP基板上MgSe/ZnCdSe共鳴トンネルダイオードの特性解析
InP衬底上MgSe/ZnCdSe谐振隧道二极管特性分析
InP衬底上MgSe/ZnCdSe谐振隧道二极管特性分析
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[前田慶治, 酒井琢己, 野村一郎]
通讯作者：
野村一郎
InP基板上Ⅱ-Ⅵ族半導体光デバイスにおけるn側構造の電気特性解析
InP衬底II-VI族半导体光器件n侧结构电学特性分析
InP衬底II-VI族半导体光器件n侧结构电学特性分析
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[小林穂貴, 石井健太, 前田慶治, 野村一郎]
通讯作者：
野村一郎
InP基板上ZnCdSe/MgZnCdSe/MgZnSeTe黄色レーザダイオード構造の検討
InP 衬底上 ZnCdSe/MgZnCdSe/MgZnSeTe 黄色激光二极管结构的研究
InP 衬底上 ZnCdSe/MgZnCdSe/MgZnSeTe 黄色激光二极管结构的研究
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[前田慶治, 石井健太, 小林穂貴, 野村一郎]
通讯作者：
野村一郎
MgSe/ZnCdSe共鳴トンネルダイオード特性の理論解析と素子構造依存性の検討
MgSe/ZnCdSe谐振隧道二极管特性理论分析及器件结构依赖性研究
MgSe/ZnCdSe谐振隧道二极管特性理论分析及器件结构依赖性研究
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[章燕瀛嬌, 前田慶治, 野村一郎]
通讯作者：
野村一郎
Investigation of the conduction band discontinuity of the MgSe/ZnCdSe hetero-structure on InP substrates using the n-i-n diode
使用 n-i-n 二极管研究 InP 衬底上 MgSe/ZnCdSe 异质结构的导带不连续性
使用 n-i-n 二极管研究 InP 衬底上 MgSe/ZnCdSe 异质结构的导带不连续性
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Hodaka Kobayashi, Yudai Momose, Takumi Sakai, and Ichirou Nomura]
通讯作者：
and Ichirou Nomura
共 11 条